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MPPT太阳能控制器智能化提升,但别忘记选型170N1F4A场效应管优化电路!

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2024-04-01 11:34 次阅读

MPPT太阳能控制器在如今智能化的时代,产品也在不断升级,目前已经越来越多的厂家利用高速运算威廉希尔官方网站 和高效芯片来提升自家产品的转换率。据说德姆达公司研发的产品已经可达转换率提高到98%以上,并具备99%以上的峰值追踪效率。

今天飞虹半导体工程师要提醒的是,除了智能化需要不断提升外,别忘记在电路最基础的MOS管来保障产品的质量提升,毕竟MOS管也是MPPT太阳能控制器的中枢电子元器件

支持国产化的时代,建议要找能代换STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型号场效应管用于MPPT太阳能控制器电路开发中是工程师中热门话题

建议可以了解一款170N1F4A型号场效应管,它是一款纯国产MOS管半导体元器件,能够替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型号参数驱动电路中使用。

目前在国产市场中170N1F4A型号场效应管是能完美在MPPT太阳能控制器中使用,这一点是已经获得众多的电机厂家所认可的。除了最基本的172A、100V参数外,还因其具备优秀的产品特点:

1、RoHS产品

2、SGT工艺

3、100% DVDS测试

4、低栅极电荷

5、低 Crss (典型值 33 pF)

6、开关速度快

7、100%经过 Rg 测试

8、100%经过雪崩测试

9、100%经过热阻测试

10、极低的FOM(RDSON*Qg)

当然除了产品具备的优良特点外,170N1F4A能替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT中低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:

1、最大脉冲漏极电流(IDM ):480A

2、N 沟道增强型场效应晶体管

3、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;

4、ID(A):172A;BVdss(V):100V

5、选用TO-220封装产品可用于控制器电路中

6、反向传输电容:33pF

7、静态导通电阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

d91be790-ee8b-11ee-a297-92fbcf53809c.png

对于MMPT太阳能控制器中的电路升级想要选择好的MOS管产品应用,建议选用170N1F4A型号场效应管。

飞虹半导体在为电子厂商专业的产品,一站式配齐功率器件的服务,始终站在用户需求出发。

它良好的制作工艺与参数性能给太阳能控制器做更好的适配,保障产品的可靠性。



审核编辑:刘清

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原文标题:MPPT太阳能控制器智能化提升,但别忘记选型170N1F4A场效应管优化电路!

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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