UFS4.0主控进入6nm，把握生成式AI脉动，厂商新品迭出

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）智能手机终于迎来了一个创新性亮点功能，那就是生成式AI。将生成式AI装入手机，必将从旗舰机型开始逐渐向下渗透，再加上平板电脑等智能终端设备的AI化，设备的存储性能将随之进行升级。UFS4.0首先应用于旗舰智能手机，UFS3.1也因其性价比满足中低阶智能设备的需求。在最近，我们看到许多存储主控芯片厂商都推出了UFS解决方案，布局智能手机等市场。

群联

群联电子在1月一口气发布了四款全新的UFS存储解决方案，旨在满足不同手机市场的需求。从入门级到中高端再到旗舰手机，看样子是要将各价段的手机普及AI一网打尽。

PS8327是一款22nm工艺的UFS 2.2主控芯片，主要面向入门级5G手机市场。其最大闪存容量可达256GB，并配备了第六代4KB LDPC ECC纠错威廉希尔官方网站 ，即使在单通道64GB的情况下，也能实现UFS 2.2规格的满速1000MB/s传输。

图：群联UFS存储解决方案 电子发烧友网拍摄

PS8329主控芯片针对追求高性价比的中端手机市场。这款22nm UFS 3.1主控支持4KB LDPC纠错，单通道下顺序读写速度可达2000MB/s，计划于今年6月开始提供样品给合作伙伴。

PS8325主控芯片针对高端手机市场。这款12nm UFS 3.1主控采用双通道设计，支持1Tb NAND颗粒，最大闪存容量高达1TB。同时，它还搭载了第六代4KB LDPC ECC纠错威廉希尔官方网站 ，预计将在本季度开始量产，为高端手机提供更强大的存储性能。

PS8361主控芯片针对旗舰手机市场。这款12nm UFS 4.0主控采用四通道设计，最大闪存容量同样为1TB。它搭载了第六代LDPC+RAID ECC纠错威廉希尔官方网站 ，顺序读写速度可超过4000MB/s，预计将在今年下半年开始出货，为旗舰手机带来极致的存储体验。

慧荣

慧荣科技3月推出UFS（通用闪存存储）4.0主控芯片SM2756。作为业界使用最广泛的UFS主控芯片解决方案系列的旗舰产品，可满足人工智能手机和其他高性能应用（包括汽车和边缘运算）不断增长的需求。

而此次慧荣也将UFS4.0主控升级到先进制程。最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解决方案是全球最先进的主控芯片，基于领先的6纳米EUV威廉希尔官方网站 ，采用MIPIM-PHY 低功耗架构，提供高性能和电源效率的最佳平衡，满足现今高端AI移动设备的全天候计算需求。SM2756实现4,300MB/s 以上的循序读取性能和4,000MB/s 以上的循序写入速度，支持最广泛的3DTLC 和QLCNAND 闪存，容量高达2TB。2024 年中批量生产。

全新第二代SM2753UFS 3.1主控芯片解决方案，采用高速串行链路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane标准和SCSI体系结构模型(SAM)，实现前所未有的性能。继SM2754UFS3 主控芯片取得成功后，SM2753以单通道的设计特点，采用新一代3DTLC 和QLCNAND，提供2150MB/s 的循序读取性能和1900MB/s 的循序写入性能，满足当前手机、物联网和汽车应用中不断增长的UFS3.0市场需求。目前进入批量生产。

得一微

最近，得一微嵌入式存储UFS3.1主控新品YS8803，是中国大陆首款面向公开市场的UFS存储主控。为移动设备提供高性能、大容量和低功耗的存储解决方案而设计。该主控支持MIPI M-PHY 4.1 和UniPro 1.8，采用低功耗架构和LDPC，支持主流NAND Flash厂商的3D MLC/TLC/QLC NAND Flash，主要应用于UFS和uMCP等高速存储产品中。

支持3D MLC/TLC/QLC NAND Flash，支持ONFI 5.X，Toggle 4.0，支持1.2V和1.8V接口电压支持LDPC，2通道，4CE每通道支持E2E数据保护，顺序读速度：2100 MB/s顺序写速度：1600 MB/s，消费级工作温度范围： -25°C ~ 85°C工业级工作温度范围： -40°C ~ 85°C。

小结：

目前生成式AI嵌入手机开始支持70亿甚至100亿参数的大模型，势必需要更快速的闪存与之匹配，当前旗舰手机纷纷搭载UFS4.0。但业内专家指出，大模型的轻量化会是智能手机生成式AI的发展趋势，轻量化的大模型更适合向中低端手机渗透，UFS3.1刚好可以满足这一需求。另一方面，采用QLC的UFS4.0也将有助于降低成本，令UFS4.0向下渗透。