英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联威廉希尔官方网站 ，CoolSiC威廉希尔官方网站 的输出电流能力强，可靠性提高。
产品型号：
IMYH200R012M1H
IMYH200R024M1H
IMYH200R050M1H
IMYH200R075M1H
IMYH200R0100M1H
产品特点
VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统
开关损耗极低
创新的HCC封装
针脚间爬电距离为14毫米
5.4毫米电气间隙
栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
用于硬换流的坚固体二极管
.XT互联威廉希尔官方网站 可实现同类最佳的散热性能
高耐湿性
应用价值
市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V
1500V的DC的变流器可以用两电平实现
与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量
创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙
应用领域
光伏逆变器
储能系统
电动汽车充电
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7156浏览量
213150 -
SiC
+关注
关注
29文章
2804浏览量
62608 -
输出电流
+关注
关注
0文章
243浏览量
16556 -
光伏逆变器
+关注
关注
10文章
467浏览量
30795 -
储能系统
+关注
关注
4文章
859浏览量
24698
原文标题：英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET
文章出处：【微信号：儒卓力，微信公众号：儒卓力】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣，荣获极光奖两项大奖
英飞凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣，荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。与此同时，凭借其在碳化硅威廉希尔官方网站
领域的持续创新突破及产品性能的显著
新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V
新品CoolSiC肖特基二极管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二极管2000VG5系列
英飞凌推出CoolSi肖特基二极管2000V G5
在当今快速发展的工业应用中，追求更低功率损耗与更高功率水平已成为行业共识。为了满足这一迫切需求，全球功率系统和物联网领域的领军企业英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了革命性的CoolSiC™肖特基二极管
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC
代码：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二极管2000VG5，这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500VD
IPAC碳化硅直播季丨如何设计2000V CoolSiC™驱动评估板
英飞凌继推出市面首款击穿电压达到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首个应用于2000VCoolSiCMOSFET的评估板。本次IPAC直播间特邀评估板开发团队，免费教学，带您深入了解两款评估板设计精髓与测试
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
2024 年 7 月 24 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™
发表于 07-25 16:14
•646次阅读
新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块系列新增5.2mΩ新规
英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款
2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列。 该电路板设
晶科能源Tiger Neo系列产品荣获全球首家UL 2000V认证
近期，晶科能源Tiger Neo系列产品，通过了第三方权威机构UL在今年2月发布的UL61730关于2000V光伏组件的认证要求决议中一系列严格的安全和性能评估，被认可能够承受2000V
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品
英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET
全面提升！英飞凌推出新一代碳化硅威廉希尔官方网站 CoolSiC MOSFET G2
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2威廉希尔官方网站
，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET威廉希尔官方网站
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。Co
发表于 03-14 11:07
•749次阅读
英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款
工商网监
评论