0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

我国实现6英寸氧化镓衬底产业化新突破

第三代半导体产业 来源:第三代半导体产业 2024-03-22 09:34 次阅读

3月20日,杭州镓仁半导体有限公司宣布,公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。采用自主开创的铸造法,成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶,并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。杭州镓仁半导体,也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备威廉希尔官方网站 的产业化公司。

据介绍,氧化镓因其优异的性能和低成本的制造,成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一,被称为第四代半导体材料。该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件,在轨道交通、智能电网新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域,均具有广阔应用前景。

该公司表示,此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法,具有以下显著优势:

第一,铸造法成本低,由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少,成本显著降低;

第二,铸造法简单可控,其工艺流程短、效率高、尺寸易放大;

第三,铸造法拥有完全自主知识产权,中国和美国专利已授权,为突破国外威廉希尔官方网站 垄断,实现国产化替代奠定坚实基础。

目前而言,日本的NCT在氧化镓衬底方面,仍占据着领先地位,但国内也总体呈现追赶态势。

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体材料
    +关注

    关注

    11

    文章

    532

    浏览量

    29560
  • 氧化镓
    +关注

    关注

    5

    文章

    74

    浏览量

    10268

原文标题:国内6英寸氧化镓衬底实现产业化

文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅衬底,进化到12英寸

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8
    的头像 发表于 11-21 00:01 2360次阅读
    碳化硅<b class='flag-5'>衬底</b>,进化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    产业革命?液相法制备碳化硅衬底实现交付!

    公司是仅少数企业正在从事液相法作为新威廉希尔官方网站 的研发,但液相法是前沿威廉希尔官方网站 ,尚未实现产业化大规模生产”。   然而让人意想不到的是,11月6日,天岳先进就宣布液相法制备的高质量低阻P型碳化硅衬底
    的头像 发表于 11-13 01:19 2061次阅读

    氮化晶圆在划切过程中如何避免崩边

    9月,英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化(GaN)晶圆。12英寸晶圆与8英寸晶圆相比,每片能多生产2.3倍数量的芯片,威廉希尔官方网站 和效率显著提升。这一
    的头像 发表于 10-25 11:25 700次阅读
    氮化<b class='flag-5'>镓</b>晶圆在划切过程中如何避免崩边

    功率氮化进入12英寸时代!

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)提升芯片产能的最显著方式,就是扩大晶圆尺寸,就像硅晶圆从6英寸到8英寸再到如今的12英寸。虽然在12英寸之后,
    的头像 发表于 09-23 07:53 2773次阅读

    全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮威廉希尔官方网站 升级

    随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加大投入,积极布局这一新兴产业。8英寸SiC晶
    的头像 发表于 06-12 11:04 417次阅读
    全球掀起8<b class='flag-5'>英寸</b>SiC投资热潮,半导体<b class='flag-5'>产业</b>迎来新一轮威廉希尔官方网站
升级

    国内8英寸SiC工程片下线!降本节奏加速

    制造等产线扩张;另一部分是源自过去十多年时间里,SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸,加上良率的提升。   更大的衬底尺寸,意味着单片Si
    的头像 发表于 06-12 00:16 2925次阅读

    北京铭半导体引领氧化材料创新,实现产业化突破

    北京顺义园内的北京铭半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展,其威廉希尔官方网站 已领先国际同类产品标准。
    的头像 发表于 06-05 10:49 909次阅读

    中国碳化硅衬底行业产能激增,市场或将迎来价格战

    从2023年起,中国碳化硅衬底行业迎来了前所未有的发展高潮。随着新玩家的不断加入和多个项目的全国落地,行业产能迅速扩张,达到了新的高度。根据最新行业数据,国内碳化硅衬底的折合6英寸销量
    的头像 发表于 06-03 14:18 529次阅读
    中国碳化硅<b class='flag-5'>衬底</b>行业产能激增,市场或将迎来价格战

    2023年中国专利调查报告:发明专利产业化率显著提升,创新环境持续优化

    我国专利产业化进程明显加快。2023年,我国发明专利产业化率升至39.6%,同比提高2.9个百分点,已连续五年稳步上升;实用新型专利产业化
    的头像 发表于 04-17 16:23 777次阅读

    新质生产力赋能高质量发展,青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备!

    4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过威廉希尔官方网站 创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底
    的头像 发表于 04-14 09:12 896次阅读

    量产进行时,钠离子电池产业化“曙光”初现

    作为动储电池产业变革的重要方向之一,钠离子电池产业化进程正处于亟待寻求突破的瓶颈期。
    的头像 发表于 03-17 09:47 1204次阅读
    量产进行时,钠离子电池<b class='flag-5'>产业化</b>“曙光”初现

    首个在6英寸蓝宝石衬底上的1700V GaN HEMTs器件发布

    近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片,基于广州第三代半导体创新中心中试平台,成功在6英寸蓝宝石
    的头像 发表于 01-25 10:17 1116次阅读
    首个在<b class='flag-5'>6</b><b class='flag-5'>英寸</b>蓝宝石<b class='flag-5'>衬底</b>上的1700V GaN HEMTs器件发布

    全固态电池产业化需以市占率突破1%为标志

    全固态电池的研发是为了“防止被颠覆”,其产业化需以市占率突破1%为标志。
    的头像 发表于 01-24 10:13 1440次阅读

    6英寸β型氧化单晶成功制备

    2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制备出直径6英寸的β型氧化(β-Ga2O3)单晶。通过增加单晶
    的头像 发表于 12-29 09:51 1345次阅读
    <b class='flag-5'>6</b><b class='flag-5'>英寸</b>β型<b class='flag-5'>氧化</b><b class='flag-5'>镓</b>单晶成功制备

    8英寸碳化硅衬底产业化进展

    当前,大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备威廉希尔官方网站 的重要发展方向。
    的头像 发表于 12-24 14:18 1226次阅读
    8<b class='flag-5'>英寸</b>碳化硅<b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>产业化</b>进展