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MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘(SSD)可延长寿命

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2024-03-18 10:24 次阅读

固态硬盘(SSD)主要由控制器DRAM和NAND Flash构成,存在异常掉电而丢失数据等问题,通常需要配备电容电源故障检测模块。如下图所示,该威廉希尔官方网站 方案将Write Buffer和FTL Changes保存在MRAM中,可显著减少SSD对电容数量的需求。

此外,SSD的随机写工作模式加剧了WA(Write Amplification)问题,严重影响SSD的擦写寿命。如下图所示,小块数据被缓存在MRAM的Write Buffer中,经过合并重组等操作,以顺序方式写入NAND Flash。该威廉希尔官方网站 方案减轻了WA问题,降低了随机写操作对SSD的寿命影响。

SSD原理框图.png

SSD原理框图

国芯思辰MRAMHS4MANSQ1A-DS1非常适用于需要极高数据可靠性的应用,其容量为4Mbit,支持SPI/QPI(串行单线/四线接口)模数。芯片可配置为1位I/O独立接口或4位I/O通用接口,SOP8封装,可以保证SSD长期稳定的运行。

HS4MANSQ1A-DS1封装图.png

HS4MANSQ1A-DS1封装图

此外,MRAMHS4MANSQ1A-DS1单一电源VCC仅3.3V,待机电流只有2mA,休眠电流仅有2μA,可以很好的节省SSD运行器件的电量消耗。从耐久度上来看,HS4MANSQ1A-DS1在105℃环境下数据可以保留10年以上,85℃环境下数据可以保留20年以上,性能完全足够SSD的应用。

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。

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