0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOS管的导通条件 MOS管的导通过程

Torex产品资讯 来源:EEDesign公众号 2024-03-14 15:47 次阅读

01

MOS管导通条件

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型MOS管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。

一般2V~4V就可以了。但是,MOS管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断,开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表示1。

02

MOS管导通过程

导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段,这四个时间段有不同的等效电路。

01f042ae-e1d7-11ee-a297-92fbcf53809c.jpg

1、t0-t1:Cgs开始充电,栅极电压还没有到达Vgs(th),导电沟道没有形成,MOSFET仍处于关闭状态。

2、t1-t2:GS间电压到达Vgs(th),DS间导电沟道开始形成,MOSFET开启,DS电流增加到ID,Cgs继续充电,Vgs由Vgs(th)指数增长到Va。

3、t2-t3:MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于Cgd电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs的充电,从而使得Vgs近乎水平状态,Cgd电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。

4、t3-t4:至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电,Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止。此时Cgs电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。




审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7158

    浏览量

    213162
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2411

    浏览量

    66770
  • 数字电路
    +关注

    关注

    193

    文章

    1605

    浏览量

    80592
  • 电压控制
    +关注

    关注

    0

    文章

    110

    浏览量

    22874
  • 电容电压
    +关注

    关注

    0

    文章

    74

    浏览量

    11207

原文标题:工程师不得不知的MOS管导通条件和过程

文章出处:【微信号:gh_454737165c13,微信公众号:Torex产品资讯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOS 通条件

    N沟道 P沟道 MOS什么电平通啊跟增强型的 一样吗 初学者!感谢大家!
    发表于 03-25 10:16

    什么是PMOS?PMOS管有什么通条件

    什么是PMOS?PMOS管有哪些特性?PMOS管有什么通条件
    发表于 06-16 08:07

    MOS的开通/关断原理

    原理,请看下图:NMOS的主回路电流方向为D→S,通条件为VGS有一定的压差,一般为510V(G电位比S电位高);而PMOS的主回路电流方向为S→D,
    发表于 10-28 08:37

    p型mos通条件

    靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应来说,N沟道的管子加正向电压即
    发表于 06-26 16:04 4.3w次阅读

    n沟mos通条件

    场效应通与截止由栅源电压来操控,关于增强场效应方面来说,N沟道的管子加正向电压即通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就OK了。
    发表于 06-26 16:13 4w次阅读

    什么是MOSMOS损坏的原因有哪些

    什么是MOS?它有什么特点?在常见的控制器电路中,MOS管有几个工作状态,而MOS 主要损耗也对应这几个状态,本文就来探讨一下MOS的这些
    发表于 08-09 14:15 6579次阅读

    MOS通的条件有哪些?

    MOS通与截止由栅源电压来控制,对于增强型MOS来说,N沟道的管子加正向电压即通,P沟
    的头像 发表于 06-15 15:43 8.4w次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>导</b>通的<b class='flag-5'>条件</b>有哪些?

    电力二极通条件及额定电流

    电力二极在正向偏置的情况下通,反向偏置的情况下不通,这是其最基本的通条件。具体而言,电力二极
    发表于 02-28 11:37 9246次阅读

    MOS通和关断过程

    最近一直在说MOS的知识,就有朋友留言说能具体说一下MOS通和关断过程吗,那我们今天来说
    的头像 发表于 03-26 16:15 6764次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>导</b>通和关断<b class='flag-5'>过程</b>

    P沟道MOS通条件有哪些

    电子设备中。与N沟道MOS相比,P沟道MOS的导电沟道由P型半导体材料构成,因此其通条件
    的头像 发表于 12-28 15:39 5199次阅读

    深入解析MOS的判别与通条件

    使用二级,通时会有压降,会损失一些电压。而使用MOS做隔离,在正向导通时,在控制极加合适的电压,可以让MOS管饱和
    发表于 04-08 14:41 1893次阅读
    深入解析<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的判别与<b class='flag-5'>导</b><b class='flag-5'>通条件</b>

    MOS通条件通特性

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层半导体场效应晶体)作为电子工程中的重要元件,其
    的头像 发表于 07-16 11:40 5444次阅读

    MOS通电压和温度的关系

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体)的通电压与温度之间存在着复杂而重要的关系
    的头像 发表于 07-23 11:44 3783次阅读

    MOS通特性

    优化具有至关重要的影响。以下将详细阐述MOS通特性,包括其基本结构、通条件
    的头像 发表于 09-14 16:09 618次阅读

    P沟道场效应通条件

    P沟道场效应(P-channel Field-Effect Transistor,简称P-FET)的通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应
    的头像 发表于 09-23 17:12 1571次阅读