0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星追赶AI芯片竞赛,计划采用海力士制造威廉希尔官方网站

半导体产业纵横 来源:半导体产业纵横 2024-03-14 11:00 次阅读

HBM竞争越来越激烈,三星不得不低头。 5位消息人士称,三星电子计划使用竞争对手SK海力士(SK Hynix)倡导的芯片制造威廉希尔官方网站 ,因为这家世界顶级存储芯片制造商寻求在生产用于为人工智能AI)提供动力的高端芯片的竞赛中迎头赶上。

随着生成式 AI 的日益普及,对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增。但与同行SK海力士和美光科技不同,三星在与AI芯片领导者英伟达(Nvidia)达成的提供最新HBM芯片的交易中一直引人注目。

分析师和行业观察人士称,三星落后的原因之一是它决定坚持使用称为非导电薄膜(NCF)的芯片制造威廉希尔官方网站 ,这会导致一些生产问题,而海力士则改用质量回流模压底部填充胶(MR-MUF)方法来解决NCF的弱点。

然而,三星最近发布了旨在处理MUF威廉希尔官方网站 的芯片制造设备的采购订单,3位直接了解此事的消息人士称。

“三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF威廉希尔官方网站 对三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的威廉希尔官方网站 ,”其中一位消息人士说。

据几位分析师称,三星的HBM3芯片产量约为10%~20%,而SK海力士的HBM3产量约为60%~70%。

HBM3和HBM3E是HBM 芯片的最新版本,需求旺盛。它们与核心微处理器芯片捆绑在一起,以帮助在生成式 AI 中处理大量数据。

一位消息人士称,三星还在与包括日本长濑在内的材料制造商进行谈判,以采购MUF材料,增加使用MUF的高端芯片的大规模生产最早要到明年才能准备就绪,因为三星需要进行更多的测试。

三位消息人士还表示,三星计划在其最新的HBM芯片中使用NCF和MUF威廉希尔官方网站 。

三星表示,其内部开发的NCF威廉希尔官方网站 是HBM产品的“最佳解决方案”,将用于其新的HBM3E芯片。“我们正在按计划开展HBM3E产品业务,”三星表示。

英伟达和长濑拒绝置评。 三星使用MUF的计划凸显了其在AI芯片竞赛中面临的越来越大的压力,根据研究公司TrendForce的数据,由于AI相关需求,HBM芯片市场今年增长了一倍多,达到近90亿美元。

NCF与MUF威廉希尔官方网站

非导电薄膜芯片制造威廉希尔官方网站 已被芯片制造商广泛使用,用于在紧凑的高带宽存储器芯片组中堆叠多层芯片,因为使用热压缩薄膜有助于最大限度地减少堆叠芯片之间的空间。

但是,随着添加更多层,制造变得复杂,经常存在与粘合剂材料相关的问题。三星表示,其最新的HBM3E芯片有12个芯片层。芯片制造商一直在寻找替代方案来解决这些弱点。

SK海力士率先成功改用质量回流模压底部填充胶威廉希尔官方网站 ,成为第一家向英伟达供应HBM3芯片的供应商。

KB Securities分析师Jeff Kim表示,SK海力士今年在英伟达HBM3和更先进的HBM产品中的市场份额估计将超过80%。

美光加入了高带宽内存芯片竞赛,宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用,为后者的H200 Tensor芯片提供动力,该芯片将于第二季度开始发货。

三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供应交易资格,据四位消息人士之一和另一位知情人士透露。三星在人工智能芯片竞赛中遭受的挫折也引起了投资者的注意,其股价今年下跌了7%,落后于SK海力士和美光,后两家分别上涨了17%和14%。

SK海力士继续发力

SK海力士高级封装开发主管Hoyoung Son以副总裁的身份表示:“开发客户特定的AI存储器需要一种新的方法,因为该威廉希尔官方网站 的灵活性和可扩展性变得至关重要。”

在性能方面,具有1024位接口的HBM内存发展得相当快:从2014– 2015年的1GT/s数据传输速率开始,到最近推出的HBM3E内存器件达到9.2 GT/s – 10 GT/s。使用HBM4,内存设置为转换为2048位接口,这将确保带宽比HBM3E稳步提高。

但据Hoyoung Son称,有些客户可能会从基于HBM的差异化(或半定制)解决方案中受益。

“为了实现多样化的AI,AI内存的特征也需要变得更加多样化,”Hoyoung Son在接受BusinessKorea采访时说:“我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装威廉希尔官方网站 。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。”

对于2048位接口,许多HBM4解决方案可能是定制的,或者至少是半定制的,基于我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的信息,一些客户可能希望继续使用中介层(但这次它们会变得非常昂贵),而另一些客户则更愿意使用直接键合威廉希尔官方网站 将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上,这种威廉希尔官方网站 也很昂贵。

制造差异化的HBM产品需要复杂的封装威廉希尔官方网站 ,包括(但不限于)SK海力士的MR-MUF威廉希尔官方网站 。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验,它很可能会想出其它东西,尤其是差异化产品。

Hoyoung Son说:“我们的目标是拥有一系列先进的封装威廉希尔官方网站 ,以应对不断变化的威廉希尔官方网站 格局。展望未来,我们计划提供差异化的解决方案,以满足所有客户的需求。”

审核编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片制造
    +关注

    关注

    10

    文章

    622

    浏览量

    28805
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    958

    浏览量

    38475
  • HBM
    HBM
    +关注

    关注

    0

    文章

    379

    浏览量

    14746
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1522

    浏览量

    31211

原文标题:三星将使用SK海力士青睐的芯片制造威廉希尔官方网站

文章出处:【微信号:ICViews,微信公众号:半导体产业纵横】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星与SK海力士携手推进LPDDR6-PIM产品标准化

    据外媒最新报道,韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士已正式结盟,共同致力于推动LPDDR6的存内计算(Processing In Memory,简称PIM)产品的标准化进程。此举旨在加速人工智能
    的头像 发表于 12-03 10:42 207次阅读

    三星、SK海力士及美光正全力推进HBM产能扩张计划

    近期,科技界传来重要消息,三星、SK海力士及美光大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025年,这一领域的新增产量将激增至27.6万个单位,推动年度总
    的头像 发表于 08-29 16:43 877次阅读

    SK海力士计划斥资68亿打造芯片制造基地

    全球知名的内存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一项重大投资决策,计划斥资约9.4万亿韩元(折合美元约为68亿)在韩国龙仁市兴建其国内首座芯片
    的头像 发表于 07-27 13:48 790次阅读

    三星与SK海力士启动芯片浸没式液冷测试

    近日,科技界迎来了一则重要消息:三星电子与SK海力士已携手启动芯片产品对浸没式液冷的兼容测试。这一举措旨在响应服务器运营方对于建立浸没式液冷解决方案保修政策的需求,进一步推动数据中心冷却威廉希尔官方网站
    的头像 发表于 07-02 10:24 551次阅读

    三星海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合键合威廉希尔官方网站

    在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其威廉希尔官方网站 革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星和SK海力士,都将在
    的头像 发表于 06-25 10:01 676次阅读

    三星电子任命半导体业务新负责人,加码AI芯片市场

    三星电子近日宣布,任命Young Hyun Jun为半导体部门的新负责人,此举旨在进一步加码AI芯片市场,以追赶包括SK海力士在内的竞争对手
    的头像 发表于 05-27 14:06 511次阅读

    三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

    全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关
    的头像 发表于 05-15 09:23 433次阅读

    英伟达寻求从三星采购HBM芯片

    英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与
    的头像 发表于 03-25 11:42 731次阅读

    三星计划推出AI芯片Mach-1,采用LPDDR内存威廉希尔官方网站

    三星电子DS部门传来重磅消息,负责人庆桂显宣布,公司计划于今年底至明年初推出全新AI芯片Mach-1。这款备受瞩目的芯片已完成基于FPGA的
    的头像 发表于 03-25 10:33 532次阅读

    受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

    芯片生产中应用MR-MUF(批量回流模制底部填充)威廉希尔官方网站 的传言并不属实。   三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜(NCF)威廉希尔官方网站 ,而非SK
    的头像 发表于 03-14 00:17 3946次阅读
    受困于良率?<b class='flag-5'>三星</b>否认HBM<b class='flag-5'>芯片</b>生产<b class='flag-5'>采用</b>MR-MUF工艺

    AI需求激增,三星与SK海力士计划增产高价值DRAM

    趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四代(1a)和第五代(1b)版本的过渡。
    的头像 发表于 03-06 10:49 723次阅读

    三星、SK海力士和美光2024年上半年稼动率全面提升

    随着人工智能(AI)威廉希尔官方网站 的快速发展,存储需求持续增长。为了满足这一需求,三星、SK海力士和美光等主要存储芯片厂商已经宣布,他们将在2024年
    的头像 发表于 01-23 15:30 823次阅读

    三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元 推进“超级集群”计划

    三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元,推进“超级集群”计划
    的头像 发表于 01-23 11:35 645次阅读

    三星和SK海力士寻求存储芯片零部件供应商降价

    据报道,业内人士透露,由于DRAM、NAND等存储半导体市场严重低迷,三星电子和SK海力士这两家全球主要的存储芯片制造商已向韩国的一些存储半导体零部件供应商提出降价要求。
    的头像 发表于 01-19 14:52 971次阅读

    三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM
    的头像 发表于 01-08 10:25 993次阅读