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瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

瞻芯电子 来源:瞻芯电子 2024-03-11 09:24 次阅读

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,具备业界较低的损耗水平,且驱动电压为15V~18V,兼容性更好。

这3款产品导通电阻分别为25mΩ,40mΩ和60mΩ,且采用TO247-4封装,可耐受-55°C ~175°C工作温度,同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚,而能显著减小栅极驱动电压尖峰。这3款产品的型号及主要参数如下表:

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瞻芯电子第二代SiC MOSFET

瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的, 自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来,至今已有十几款采用同代威廉希尔官方网站 平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品,对比上一代产品,通过优化栅氧化层工艺和沟道设计,让器件的比导通电阻降低约25%,能进一步降低器件损耗,提升系统效率。

产品应用

瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品,因其具备高速开关,且低损耗,以及良好的驱动兼容性等优秀特性,而能为功率变换系统提供高频、高效率的解决方案,主要适用于下列场景:

电机驱动

光伏逆变器

车载直流变换器(DC/DC

车载充电机(OBC)

开关电源





审核编辑:刘清

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原文标题:瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品

文章出处:【微信号:瞻芯电子,微信公众号:瞻芯电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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