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英飞凌推出CoolSiC MOSFET G2威廉希尔官方网站 ,提升电力效率与可靠性

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-03-10 12:32 次阅读

先进的英飞凌科技股份公司近期发布了CoolSiC MOSFET G2沟槽威廉希尔官方网站 创新成果,在电力电子领域引发广泛关注。这款新品旨在高效、稳定地解决电力问题,解决电力行业对更优质解决方案的期待。

与之前的硅材料功率器件相比,CoolSiC MOSFET G2无论是硬开关还是软开关操作均有出色表现。关键品质因数相较于上一代G1,大幅度提升20%以上,使其在同等条件下具备更高的电力转化效率。对于需要频繁切换状态的应用环境,例如光伏逆变器、储能设备、电动汽车充电及UPS等,该威廉希尔官方网站 的快速开关能力提升超过30%,提升了多方面的性能表现,更有效地控制能耗并降低功耗损失。

另外,CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值(Rdson),这大大提高了能效、功率密度,以及在电力系统中的可靠性,降低了零件使用数量。

针对长时间连续运行的需要,英飞凌科技的独家.XT互联威廉希尔官方网站 起到了关键作用,它在保证良好热性能的前提下,提高了半导体芯片的性能,有益于克服行业难题。新产品的热性能优化提高了12%,使芯片质量指标达到了前所未有的碳化硅性能新水平。

总的来说,CoolSiC MOSFET G2的出现,无论在性能方面还是在可靠性上,都有很好的表现。尤其是在高温工况下,1200V系列产品可达150℃的稳定运行,并且具有高达200°C虚拟结温的超负荷运作潜力,让系统设计者面对电网波动等挑战时能更加机动灵活。

英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士对此表示:“如今,电力在我们的生活中占据核心地位,新的、高效的能源生产、传输和使用需求正在改变大环境。而CoolSiC MOSFET G2,则是英飞凌适应这个时代变化的一把钥匙,它将碳化硅性能推向了全新的高峰。这种新一代SiC威廉希尔官方网站 能帮助研发设计更加优化、紧凑、可靠且高效的系统,最大程度地节约能源,并削减每瓦CO2排放量。”

英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽威廉希尔官方网站 结合屡获殊荣的.XT封装威廉希尔官方网站 ,进一步增强了基于CoolSiC G2的设计潜力,具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外,英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率威廉希尔官方网站 ,提供设计灵活性和领先的应用专业知识,满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。

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