三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
据悉,HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,这一数字相较于前代产品有了显著的增长。同时,其产品容量也达到了36GB,为高性能计算应用提供了更为强大的数据处理能力。
与三星之前推出的8层堆叠的HBM3 8H相比,HBM3E 12H在带宽和容量上的提升幅度超过50%。这一重大进步不仅体现了三星电子在半导体威廉希尔官方网站 领域的持续创新和领先实力,也预示着高性能计算领域将迎来更为强劲的发展动力。
HBM3E 12H的发布,标志着三星在高性能存储器领域的又一重大突破。通过采用先进的12层堆叠威廉希尔官方网站 ,该产品实现了更高的集成度和更低的功耗,为人工智能、数据中心等高性能计算应用提供了更为可靠和高效的硬件支持。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15860浏览量
180991 -
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163769 -
HBM
+关注
关注
0文章
379浏览量
14746
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子或向英伟达供应先进HBM
领域的竞争对手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。据悉,SK海力士已经开始量产业界领先的12层HBM3E芯片。这一消息无疑加剧了HBM市场的竞争态势。 然而,对于三星
三星电子HBM3E商业化遇阻,或重新设计1a DRAM电路
近日,业界传出三星电子HBM3E商业化进程迟缓的消息,据称这一状况或与HBM核心芯片DRAM有关。具体而言,1a DRAM的性能问题成为了
三星电子加速推进HBM4研发,预计明年底量产
三星电子在半导体威廉希尔官方网站
的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三
三星HBM威廉希尔官方网站 逆袭:NVIDIA认证助力业绩飙升
在8月1日公布的最新财报中,三星电子再次展示了其在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现。数据显示,三星第二季度HBM销售额同比大幅增长超过50
三星电子重组架构,加速HBM威廉希尔官方网站 创新
在半导体威廉希尔官方网站
日新月异的今天,三星电子再次展现了其作为行业领导者的前瞻视野与战略布局。据韩国媒体最新报道,三星电子已正式启动了组织重组计划,旨在通过整合与优化资源,构建一个全新的高带宽内
三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试
韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,
英伟达否认三星HBM未通过测试
英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星提供的HBM内存,并否认了三星
三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量
针对媒体报道三星电子高带宽存储(HBM)产品未达英伟达品质标准的传闻,三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题,并称三星的
英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,
英伟达CEO赞誉三星HBM内存,计划采购
提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星
三星电子拟设立HBM开发办公室
三星电子近期计划设立专门的HBM(高带宽存储器)开发办公室,旨在进一步强化其在HBM领域的竞争力。目前,关于新设办公室的具体团队规模尚未明确,但业界
三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM
三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体威廉希尔官方网站
领域的持
三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM
近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体威廉希尔官方网站
领域的领先地位。
三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是
三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM,带宽高达1280GB/s,容量达36G
“随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大,我们的新产品HBM3E 12H应运而生,”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道,
评论