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SK海力士斥资逾10亿美元增强测试封装能力

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-03-07 16:01 次阅读

3 月 7 日报道,SK 海力士为了保持在高带宽内存(HBM)存储芯片领域的优势,预计到 2024 年投资超 10 亿美元以增强韩国境内的测试和封装实力。预估消息显示,SK 海力士今年总额将达 105 亿美元的资本支出。

彭博社表示,测试和封装在总费用中的占比达到了 10%,足见 SK 海力士对该业务的重视程度。IT之家进一步披露,此项任务交给了 Lee Kang-Wook 负责,他拥有丰富的经验,曾在三星电子任职期间,擅长将多种半导体材料融合并开发新型互联威廉希尔官方网站 。

Lee Kang-Wook的观点是,未来半导体产业 50 年将关注芯片封装威廉希尔官方网站 ,结束长期依赖硅加工相关组件的阶段。他效力于 HBM2E 内存芯片包装威廉希尔官方网站 的研发,正是此处的技艺精湛,使 SK 海力士成为英伟达的重要AI芯片供应商。

值得注意的是,Lee Kang-Wook早在 2002 年起便领导堆叠半导体元件层间互连威廉希尔官方网站 的研发。在此过程中,他打造出的威廉希尔官方网站 为此后 HBM 内存芯片的问世铺平道路,最新的 HBM 内存芯片由 12 个堆积层垂直相连。

据了解,2013 年向市场推出 HBM 的 SK hynix 以及 AMD,在此后的两年时间里一直独树一帜,直至 2015 年年末,三星才推出 HBM2。而现在,SK hynix正联合日本企业共同开发更先进的 HBM 存储器芯片的垂直互连威廉希尔官方网站 。二月底,三星宣称已经成功研发 12 层 HBM3E 芯片,单个堆栈最高可提供 36GB 的内存。与此同时,美光科技亦公布 8 层 HBM3E 内存,单个堆栈容量达 24GB。

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