SK海力士正着重投资先进芯片封装领域,旨在应对AI开发所需的高带宽存储器(HBM)日益增长的需求。
据封装研发负责人李康旭副社长(Lee Kang-Wook)介绍,SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装威廉希尔官方网站 。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因,实现了低功耗、提升性能等优势,提升了SK海力士在HBM市场的领军地位。
尽管今年的资本支出预算尚无公开信息,但分析师普遍预测约为14万亿韩元(105亿美元),先进封装研发预计占据10%以上,属首要任务之一。
金融科技专家李副社长认为,半导体业未来50年的重心将由前端(芯片设计和制造)转向后端工艺(封装)。他率领团队推动第三代HBM威廉希尔官方网站 HBM2E新颖封装方式的开创与发展,历经艰险,成功研发出名为大规模回流模塑底部填充(MR-MUF)的高端封装威廉希尔官方网站 ,助力提升散热效率及产量。李副社长透露,SK海力士正全力推进MR-MUF和TSV(硅通孔)威廉希尔官方网站 。
目前,全球其他两家主要HBM制造商也在紧随其后。美光于2月底宣称已着手大规模生产24GB 8-Hi HBM3E,并将于2024年第二季度用于英伟达H200 GPU;三星则宣布36GB 12-Hi HBM3E产品开发已然完工,计划在2024年上半年启动量产,而SK海力士则准备在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。
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