三星正着手采用MUF威廉希尔官方网站 来提升其DRAM性能。据TheElec消息报道,近期该公司针对一款3D堆栈内存进行了MR MUF工艺测试,尽管此项威廉希尔官方网站 在吞吐量上有所提高,但其物理特性却有所下降。
依照测试结果,三星认为MUF并不适应于HBM,但对于3DS RDIMM却具有极高的适用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)威廉希尔官方网站 ,主要服务于服务器领域。
MUF为一种在半导体上制作微小孔洞,同时将上下层半导体结合的威廉希尔官方网站 。借助这种方式,可以将垂直排列的多个半导体紧密地连接并固定。
此前,三星已在其现有注册双列直插式内存模块(RDIMM)中应用了热压非导电膜(TC NCF)威廉希尔官方网站 ;相比之下,SK海力士则偏向选用Mass Re-flow Molded Underfill(MR-MUF,即大规模重新流动模塑填充剂)以制造HBM。
值得注意的是,为防止晶圆弯曲,业内普遍认为选用MUF材质可能更为理想。据悉,SK海力士使用的就是与Namics共同研发的首选MUF化合物。然而,据知情人士透露,三星正在与三星SDI联合尝试开发自家的MUF化合物,且已预订相应的模压设备。
作为全球最大的存储器制造商,若三星选择采用MUF威廉希尔官方网站 ,无疑将会推动这一科技成为主流趋势,从而对全球半导体材料市场产生深远影响。不过,三星电子当前尚未公开回应此事,仅表示“无法确认内部威廉希尔官方网站 战略”。
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