Nexperia(安世半导体)再次在 APEC 上展示产品创新,宣布发布几款新型 MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。
此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。
PoE交换机通常有多达48个端口,每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET,小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。
为此,Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET,与以前采用LFPAK33封装的版本相比,占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口,同时安全地管理故障情况。
为了应对这种情况,Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用,并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。
由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期,解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路,但这种方法的缺点是会增加元件数量。
Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能,同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装,适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。
Nexperia MOSFET营销和产品部总监Chris Boyce说道:
通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的最新产品系列,Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。
新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案,帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。
审核编辑:刘清
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原文标题:新品快讯 | Nexperia 在 APEC 2024 上发布拓宽分立式 FET 解决方案系列
文章出处:【微信号:Nexperia_China,微信公众号:安世半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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