1.双向可控硅的伏安特性
双向可控硅的伏安特性曲线,将此图与单向可控硅特性曲线比较,可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅类似,只是双向可控硅正负电压均能导通,所以第三象限曲线与第一象限曲线类似,故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联,双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同,即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的方法与单向可控硅相同,即设法降低两阳极间的电流到保持电流以下,双向可控硅即截止。
双向可控硅的伏安特性曲线图
2.双向可控硅的触发
双向可控硅的触发与单向可控硅相似,可用直流信号,交流相位信号与脉冲信号来触发,所不同的是UA-Az为负电压时,仍可触发双向可控硅。
3.双向可控硅的相位控制
双向可控硅的相位控制与单向可控硅很类似,但因双向可控硅能双向导通,在正负半周均能触发,可作为全波功率控制之用。因此双向可控硅除具有单向可控硅的优点,更方便交流功率控制。右图(a)为双向可控硅相位控制电路à电子威廉希尔官方网站 中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在交流电的正、负半周,从规定时刻(通常为零值),开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角αz晶闸管导通期间所对应的电角度叫导通角0。在右图(a)中,适当调整触发电路的RC时间常数即可改变它的控制角。右图(b)(c)分别是控制角为30°和导通:角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能控制的负载远比单向可控硅小,大体上而言约在600 V,40A以下。
双向可控硅相位控制电路
双向可控硅的产品分类
可控硅有多种分类方法。
(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
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