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IGBT7系列分立器件核心知识点最全整理!

英飞凌工业半导体 2024-02-23 08:13 次阅读

英飞凌IGBT7单管系列,作为目前炙手可热的光储应用新星产品,正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全,希望大家买得放心,用得顺手~

更全型号选择,总有一款适合你

IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用,例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度,无需重新设计散热器,缩短设计周期和降低设计成本。

H7采用最新型微沟槽栅威廉希尔官方网站 ,通过优化元胞结构,极大程度上降低了器件的导通损耗和开关损耗。650V H7芯片开关频率最高可达100kHz,1200V H7芯片最高开关频率可达40kHz,适合追求高效率、低损耗的各种应用。H7最大电流140A为市场首发,而英飞凌上一代1200V高速单管Highspeed3 H3的最大电流规格仅为75A。

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1200V IGBT7与前代IGBT性能对比

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650V IGBT7与前代IGBT性能对比

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封装升级,性能更优

IGBT7单管系列部分产品采用新的TO-247-3-HCC封装,增加了爬电距离和电气间隙。

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非对称TO-247-4p封装IKZA系列,降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度,避免焊接时连锡的现象,使安装更容易,可靠性更高。

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高可靠性,适用户外场景

IGBT7单管全系列(T7,S7,H7)在芯片工艺、封装各方面做了优化,具有出色的防潮性能以及抗宇宙射线能力,可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试,特别是HV-H3TRB,符合工业应用标准,因此非常适用于光伏、储能、充电桩等户外的场景应用。

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