共源共栅放大器电路图分享

什么是共源共栅放大器？

共源共栅放大器是一种特殊的放大器结构，它结合了共源放大器和共栅放大器的特点。在共源共栅放大器中，共源放大器作为主要增益单元，而共栅放大器则作为电流缓冲器。这种结构可以提高基础增益单元的阻值，从而提高放大器的增益和输出摆幅。

共源共栅放大器通常包括两个阶段，例如CE（共发射极）级和CB（公共基极）级，其中CE馈入CB。与单级放大器相比，共源共栅放大器具有不同的特性，如高输入/输出隔离度、高i/p阻抗、高o/p阻抗和高带宽。此外，共源共栅放大器还增强了I/O隔离，就像从O/P到I/P没有直接耦合一样，这降低了米勒效应并因此提供了高带宽。

共源共栅放大器在电子学中被广泛应用，特别是在需要提高增益、输出摆幅和带宽的应用中。它也可以用于增强interwetten与威廉的赔率体系 电路的性能，如稳压器等。共源共栅放大器的一个关键优势是它能够提供较大的低频增益和单位增益带宽，同时保持适当的相位裕度和较小的建立时间。此外，折叠式共源共栅结构相较于传统的套筒式共源共栅结构具有更大的输入输出摆幅和更广泛的应用。

总的来说，共源共栅放大器是一种高性能的放大器结构，具有广泛的应用前景。在电子学、通讯、音频处理等领域中，共源共栅放大器都发挥着重要的作用。

接下来小编给大家分享一些共源共栅放大器电路图，以及简单分析它们的工作原理。

共源共栅放大器电路图分享

1、使用FET的共源共栅放大器电路图（1）

使用 FET 的共源共栅放大器电路如下所示。该放大器的输入级是FET和连接到其栅极端子的 Vin（输入电压）的公共源。该放大器的输出级是 FET 的共栅极，其输入相位非常高。 O/P 级的漏极电阻为 Rd，Vout（输出电压）可从次级晶体管的漏极端子获取。

由于Q2晶体管的栅极接地，因此晶体管的源极电压和漏极电压几乎保持稳定。这意味着较高的 Q2 晶体管为较低的 Q1 晶体管提供较低的 i/p 电阻。这会降低较低晶体管的增益，从而米勒效应也会降低。所以带宽将会增加。

下部晶体管的增益降低不会影响总增益，因为上部晶体管会补偿它。上晶体管不会受到米勒效应的影响，因为漏极到源极漂移电容的充电和放电可以通过漏极电阻进行。频率响应以及负载仅对高频产生影响。

2、使用FET的共源共栅放大器电路图（2）

所提供的示意图说明了采用 FET 的标准共源共栅放大器。该电路的初级采用 FET 共源放大器，输入电压 (Vin) 施加到其栅极。后级是 FET 共栅放大器，由输入级的输出驱动。 Rd代表输出级的漏极电阻，输出电压(Vout)从Q2的漏极端子提取。

这种布置的一个显着特点是，由于 Q2 的栅极接地，FET Q2 的源极电压和 FET Q1 的漏极电压几乎保持恒定。因此，上部 FET Q2 为下部 FET Q1 提供低输入电阻。此操作会导致下部 FET Q1 的增益降低，​​从而减轻米勒效应，从而扩大带宽。重要的是，下部 FET Q1 增益的降低不会影响整体增益，因为上部 FET Q2 补偿了这种降低。米勒效应不会显着影响上部 FET Q2，因为漏极至源极杂散电容的充电和放电主要通过漏极电阻器和负载进行管理。频率响应主要受到高频影响，远超出音频范围。

在共源共栅配置中，输出与输入有效隔离。 FET Q1 在其漏极和源极端子上保持几乎恒定的电压，而 FET Q2 在其源极端子和栅极端子上保持几乎恒定的电压。因此，实际上没有从输出到输入的反馈。就电压而言，主要焦点在于输入和输出端子，它们通过维持恒定电压水平的中央连接进行有效隔离。

3、使用FET的共源共栅放大器电路图（3）

这是一个使用 FET 的可操作共源共栅放大器电路。在此配置中，电阻器 R4 和 R5 协作创建专门用于 FET Q2 的分压器偏置网络。 R3 充当 Q2 的漏极电阻，有效限制漏极电流。同时，R2 与其旁路电容器 C1 一起充当 Q1 的源电阻。此外，当不存在输入信号时，R1 在维持 Q1 栅极电压为零方面发挥着关键作用。