三星电子已在美国硅谷设立R&D实验室,专精于研发下一代3D DRAM芯片。
此实验室隶属硅谷Device Solutions America(DSA)旗下,负责管理韩国科技巨头在美的半导体产业,并助推新世代DRAM产品研发。凭借去年九月发布业界容量最大的32 Gb DDR5 DRAM芯片,运用12nm制程生产,预计产出容量高达1 TB的内存产品,为三星稳固DRAM威廉希尔官方网站 的市场领先地位。
值得强调的是,Gb是DRAM存储密度单位,非GB;常见的内存卡容量通常为8GB至32GB,而服务器级内存亦有128GB,均由不同数量DRAM构成。如美光官网所示,DDR5 SDRAM产品为16Gb和24Gb两种规格,三星官网上线的则全数为16Gb规格,SK Hynix主营之品同样为16Gb。
受早前全球首次市场化的3D垂直结构NAND(3D V-NAND)的成功案例启发,三星电子致力于主导DRAM 3D垂直结构研发。去年十月,“内存威廉希尔官方网站 日”活动期间,三星公布将在下次10纳米或以下的DRAM中导入新型3D架构,而非沿用2D平面结构,以突破3D垂直结构在缩小芯片体积同时提升性能的难度,预期一片芯片的容量增至逾百G。
此外,据述,三星去年在日本VLSI研讨会上分享了关于3D DRAM研究成果论文,并揭示了3D DRAM的实际半导体呈现效果图。
分析师预测,未来数年间,随着3D DRAM市场的高速增长,至2028年时该市场规模将大大超过千亿美元。在此领域,包括三星在内的各大内存芯片制造商正展开激烈竞争,力求引领市场新潮流。
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