FET晶体管电路设计参数

场效应晶体管用于电路设计，因为它们能够提供非常高的输入阻抗水平以及显着的电压增益水平。

与作为电流控制器件的双极晶体管不同，场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。

但是，仍然可以设计具有电流和电压增益的电路，并采用类似的电路格式。

FET电路基础知识

在考虑使用FET电路时，有必要考虑FET威廉希尔官方网站 ，场效应晶体管的类型将是最适用的。

FET 有三个电极：

源：源极是 FET 上的电极，多数载流子通过该电极进入沟道，即充当器件的载流子源。通过源进入通道的电流由 IS 指定。

排水：漏极是FET电极，多数载流子通过该电极离开沟道，即它们从沟道中排出。通过漏极进入沟道的常规电流由字母 ID 表示。此外，漏源电压通常由字母 VDS 表示

门：栅极是控制通道电导率的端子，因此栅极上的电压水平控制着在设备输出中流动的电流。

结型 FET 电路符号

FET电路设计参数

在开始设计FET电路时，有必要确定电路的基本要求。这些将决定有关要使用的电路拓扑类型以及要使用的 FET 类型的许多决策。

晶体管电路设计的要求中可能需要许多参数：

电压增益：电压增益通常是一个关键要求。它是输出信号电压除以输入信号电压。

电流增益：这是FET电路的电流增益。可能需要将高电流驱动到负载中。

输入阻抗：这是上一级在向相关 FET 电路提供信号时将看到的阻抗。FET 本身对栅极具有较高的输入阻抗，因此 FET 通常用于至关重要的场合。

输出阻抗：输出阻抗也很重要。如果FET电路驱动低阻抗电路，则其输出必须具有低阻抗，否则晶体管输出级将出现较大的压降。

频率响应：频率响应是影响FET电路设计的另一个重要因素。低频或音频晶体管电路设计可能与用于射频应用的设计不同。此外，电路设计中FET和电容值的选择将受到所需频率响应的极大影响。

电源电压和电流：在许多电路中，电源电压由可用电压决定。此外，电流可能会受到限制，特别是如果完成的 FET 电路设计是电池供电的。

用于电路设计的 FET 类型

由于可以使用几种不同类型的场效应晶体管，因此有必要定义至少一些可在电路设计过程中使用的 FET。

下表定义了一些可能遇到的不同类型和特征。

审核编辑：黄飞