艾为电子推出AW135xxTQNR系列射频开关

前言

随着5G威廉希尔官方网站 的不断发展，终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发，在射频链路上对开关的要求也越来越高。AW135xxTQNR系列射频开关采用了国产RF SOI工艺，具有低插损、高隔离及高功率的特点，适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。

应用场景

手机

笔记本

平板电脑

AW135xxTQNR主要特性

频率范围：0.1~3.8GHz

工作电压范围：1.65V~1.95V

插入损耗：0.65dB typical@2.7GHz

隔离度：25dB typical@2.7GHz

耐功率：37dBm

开关速度：Tsw=0.75μs

支持MIPI RFFE V2.1协议

产品优势一：低插入损耗0.65dB typical @ 2.7GHz

接收灵敏度和发射功率是无线设备的两个关键指标：接收灵敏度表征接收机的核心性能，它决定了接收机是否能够在极弱信号条件下正常运作；而发射功率是发射机性能的关键参数，终端设备(UE)发射的信号需要经过空间的衰落之后才能到达基站，越高的发射功率意味着UE支持越远的通信距离。AW135xxTQNR优秀的低差损性能，使其不仅在下行链路(downlink)能够获得更优的灵敏度，也能在上行链路(uplink)降低功率损耗获得更高的发射功率，满足高性能终端(HPUE)设计需求。

AW135xxTQNR可用于发射通路和接收通路

产品优势二：多场景灵活应用

a. 传统应用

丰富的端口，以及37dBm高耐压特性使得AW135xxTQNR可以作为频段选择开关灵活应用在射频前端的主、分集。

b.双开应用

AW135XxxQNR支持MIPI2 RFFE V.1，协议其每条通路的开启和关断都是由寄存器单独的比特独位立控制的MIPI2 V.1的寄存器屏蔽写特性可以使每条通路的开启和关断不影响其它通路的状态。因此AW135XxxQNR可以应用CA、NDC场等复杂景。利终端开发者用LC搭建低通和高通滤波电路，得到合适的“diplexer”电路，从而实可以现开关的双开应用。

c.定位系统应用

除了应用在传统的收射频前端统，AW135XxxQNR还可以应用于蓝牙AOA定位系统，极快的切换时间使得AW135XxxQNR可以轻松应对定位基站需要多天线切换的需求。

AW135XxxQNR可应用于多天线定位系统

产品优势三：良好的抗静电性能

在电子设备的制造、测试和维护过程中，静电常常是一个不可避免的问题。由于电子设备中的电子元件和电路板非常敏感，即使是微小的静电电荷也可能会损坏它们。因此，防静电管理系统非常重要。AW135XxxQNR优秀的抗静电性能，可以减少设备的损坏，从而降低生产成本和维修成本。 AW135XxxQNR的静电能力

总结

AW135XXTQNR系列具有丰富的射频端口，高达37dBm的功率容量，0.75μs切换时间等一系列优秀的性能指标。这些优秀的性能使其在应用场景中可以灵活选择，在传统射频收发统中，其低插损除了可以获得更好的灵敏度以外还能降低发射功率的损耗获得更大的发射功率。除此外，丰富的端口和极快的切换时间使AW135XxxQNR可以应用在对时间切换要求更严格的定位模块中。

审核编辑：汤梓红