中微半导正式推出工业级芯片BAT32G113

中微半导体（深圳）股份有限公司于近日正式推出工业级MCU BAT32G113，芯片工作温度-40℃~125℃，提供QFN24（3mmx3mm）和QFN32封装可选，主要面向光模块、传感器、工业通讯、测量仪器仪表等空间受限型应用。

随着5G不断普及，市场对光数据传播需求不断增长，并期望方案体积更小、成本更低，同时又保持低功耗和高可靠性能。中微半导专注于8位及32位MCU、SoC、ASIC等芯片设计，针对5G基础建设、数据市场需求，推出工业级BAT32G113以匹配光数据各种传输速率和应用场景。

BAT32G113符合光模块应用并具备优势性能，与传统解决方案相比，该系列具备高集成度、更低功耗和更小尺寸的特点，有助进一步简化和加快光模块系统设计。

BAT32G113基于Arm Cortex-M0+内核，工作频率64MHz，32KB Flash，4KBSRAM，2.0~5.5V宽工作电压，集成A/D转换器、D/A转换器、温度传感器、比较器及运放(PGA)，支持I2C、SPI、UART多种标准接口，并内置硬件乘除法器，工作温度-40℃~125℃。

BAT32G113集成了丰富的片上资源，内置12bit ADC，采样率1.42Msps，10个外部复用通道，3个内部通道连接PGA，内部温度传感器以及内部基准电压。BAT32G113支持从机双地址IIC，可同时用于与外部相连的I2C辅助接口和与interwetten与威廉的赔率体系 前端通信，支持光模块开发人员所需的精密模拟性能。

BAT32G113同时内含2路12位的DAC输出，无需外挂DAC模块。除了光电转换模块、光纤网络模块应用，QFN24和QFN32小封装，尺寸仅3mmx3mm，亦非常适合应用于传感器、精密仪器、工业控制设备和智能传感自动化系统等应用中。

BAT32G113将以出色模拟性能、低功耗（休眠模式下电流低至1.5uA）和高可靠性，帮助客户优化速度、功耗和成本，以满足不断增长的光数据通信及工业控制应用需求。

BAT32G113 开发支持

在开发支持方面，中微半导基于BAT32G113提供完善软硬件开发套件、应用文档、一站式解决方案和现场威廉希尔官方网站 支持服务。

BAT32G113开发板支持3.3V/5V供电切换，同时板载CMS-ICE8 OB调试器，仅需一条Type-C线即可实现仿真、串口打印功能，方便客户快速验证产品。

审核编辑：刘清