当前,大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备威廉希尔官方网站 的重要发展方向。6英寸碳化硅晶圆仍然是市场上的主流产品,而8英寸衬底正在成为行业的重要威廉希尔官方网站 发展方向。成熟的8英寸碳化硅威廉希尔官方网站 将有效解决6英寸碳化硅晶圆芯片产量有限和边缘浪费过大的问题,提高单片晶圆芯片产量,降低单位芯片成本。国内外厂商相继进军8英寸衬底领域。
近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门召开。期间,“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备威廉希尔官方网站 ”分会上,哈尔滨科友半导体产业装备与威廉希尔官方网站 研究院有限公司董事长赵丽丽做了“8英寸碳化硅衬底产业化进展”的主题报告,分享了科友8英寸碳化硅衬底产业化威廉希尔官方网站 研究进展,一站式碳化硅长晶解决方案理念,并介绍了科友在8英寸碳化硅衬底加工及市场方面的新突破。
近年来,科友半导体在8英寸碳化硅衬底产业化研究方面取得较快进展。2022年11月,对外发布基于电阻炉的8英寸碳化硅,2023年2月,科友“8英寸碳化硅装备及工艺”成果在中国电子学会组织的威廉希尔官方网站 鉴定会上获得高度评价,“指标达到国内领先、国际先进水平”,2023年4月,科友半导体8英寸碳化硅中试线正式贯通并进入小批量生产阶段,2023年9月,衬底产线加工得到外延可用的8英寸碳化硅衬底,实现了大尺寸衬底加工威廉希尔官方网站 的突破。目前,科友8英寸碳化硅长晶良率达到50%以上,厚度稳定达到15-20mm,良率50%以上,总位错2000-3000个/cm2左右。
报告指出,科友半导体掌握了8英寸碳化硅装备研制能力以及配套工艺威廉希尔官方网站 ,为8英寸碳化硅产业化推进提供了设备和工艺基础。长晶设备包括6/8英寸感应长晶炉和6/8英寸电阻长晶炉,长晶附属装备包括难熔金属蒸镀炉、籽晶镀膜设备、原料预结晶提纯炉、晶体退火炉等,设备零配件国产化率高,具有设备成本低、厂务配套要求低、长晶速度快、性能稳定、热场重复利用率高等优势。其中,长晶炉设备利用自主设计的热场结构,通过自动控制程序,应用优化的工艺条件,使用配套的蒸镀石墨结构件和预处理提纯后的料锭,可以提供稳定可控的晶体生长条件,显著改善晶体厚度和晶体质量,并有效降低晶体制备成本,构成了低成本的突出优势。
针对大尺寸低缺陷碳化硅单晶制备成本高、良率低的难题,科友半导体开发了原料提纯制备威廉希尔官方网站 、籽晶镀膜威廉希尔官方网站 、难熔金属碳化物蒸镀威廉希尔官方网站 等独家工艺威廉希尔官方网站 ,基于热场设计方面的经验将感应设备和电阻设备的耗材联动使用,实现了原料成本、石墨耗材成本降低50%以上的突出效果。基于上述威廉希尔官方网站 突破,科友掌握了碳化硅衬底全产业链自主威廉希尔官方网站 能力,在材料、设备以及工艺方面拥有系列自主知识产权,掌握碳化硅原料提纯、晶体生长、籽晶制备、衬底加工、热场interwetten与威廉的赔率体系 、工业设计、装备设计制造等全流程关键威廉希尔官方网站 ,衬底产品质量及良率位于领先水平。
哈尔滨科友半导体产业装备与威廉希尔官方网站 研究院有限公司是一家专注于第三代半导体碳化硅装备研发、衬底制备及科研成果转化的高新威廉希尔官方网站 企业,研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域,累计授权专利近百项,参编国家标准5项,实现先进威廉希尔官方网站 自主可控。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区,实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合,致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。
审核编辑:刘清
-
半导体
+关注
关注
334文章
27302浏览量
218143 -
晶圆
+关注
关注
52文章
4895浏览量
127936 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2749浏览量
49020
原文标题:科友半导体赵丽丽:8英寸碳化硅衬底产业化进展
文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
评论