IR这个词并不是什么缩写,这里的I就是指电流,R是指电阻,他们放在一起相乘,得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降,哈哈,刚接触芯片后端会看到太多缩写,突然来个IR一时会反应不过来是电压。
所谓电压降,就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压,对于flipchip封装形式,就是从bump到instance PG pin的电压降。
Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。比如bump接的外界输入电压Vdd 5V,Vss 0V,这个bump的电压到某一个instance后,可能Vdd只剩4V,Vss变为1V,那么这个instance得到的电压就只有3V,电压降就是2V。
IR drop是芯片后端signoff的一项重要内容,必须保证IR drop不能过大,否则芯片可能会因为得不到所需的电压而发生逻辑错误或停止工作。
这个IR drop也是会有相应spec要求的,一般会按照供电电压的百分比来定,如果定了10%,对于5V的输入来说,就要求IR drop不能大于0.5V。
IR drop分为静态压降和动态压降,即static IR & dynamic IR。静态压降的计算不考虑电流随时间的变化,或者说以很长一段时间内的平均电流代指instance的电流。
R值的计算也相对简单,不会过多考虑电流趋肤效应对电阻的影响,可以由PG网络抽取出R值,并认为它也是恒定不变的。
这样,IR相乘得出静态压降也是一个不变量,算静态压降的意义在于可以快速评估芯片的PG网络如何,powerplan是否做的足够好。
如果出现许多static IR的violation,可能就需要重新调整PG网络。那么,static IR的这个平均电流是如何得到的呢?
实际上,我们是先利用primepower等算power的工具先算出instance的power值,再根据power和instance的电阻得出流过他的电流。
Dynamic IR的计算相对复杂,它考虑了电流随时间的变化,通过对芯片长时间的interwetten与威廉的赔率体系 ,可以认为某个instance的电流是随时间周期性变化的,相应的它的IR drop也会是一个随时间变化的函数。
一般会有三个比较关心的指标:peak IR、average IR、RMS IR。Peak IR即为电压降的峰值,我们需要保证峰值压降也在可接受范围内。
Average IR指的是每个周期的平均压降,其实也有点类似static IR,但是计算方式会有所差异。
RMS IR指root mean squre IR,也就是算IR drop随时间变化的方差,有的时候我们需要保证instance的电压降要平缓的变化,RMS就可以反映电压降随时间的离散程度。
一般来说,dynamic IR的计算耗时很长,适用于找到个别instance的violation,而后针对性的调整某个instance。可以挪动它的位置到IR比较好的区域,也可以针对性的在某一块补一些PG mesh。
我知道的IR分析工具有redhawk、redhawksc、voltus等。
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