基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 产品组合中首批发布的产品,随后 Nexperia 将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同 RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能 SiC MOSFET 的需求。
Nexperia高级总监兼 SiC 产品部主管 Katrin Feurle 表示:
Nexperia 和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新,这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia 现可提供 SiC MOSFET 器件,这些器件在多个参数上都具有一流的性能,例如超高的 RDS(on) 温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比,能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量 SiC MOSFET 的开篇之作。毫无疑问,在未来几年里,我们将共同推动 SiC 器件性能的发展。
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理 Toru Iwagami 表示:
我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET,这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识,我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。
RDS(on)会影响传导功率损耗,是 SiC MOSFET 的关键性能参数。Nexperia 认为这是目前市场上许多 SiC 器件性能的限制因素。但是通过创新工艺威廉希尔官方网站 ,Nexperia 的首款 SiC MOSFET 实现了业界领先的温度稳定性,在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内,RDS(on)的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。
Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低,由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外,Nexperia 通过平衡栅极电荷,使QGD与QGS比率非常低,这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。
除了正温度系数外,Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低,这使得器件并联工作时,在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。
Nexperia 未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。请联系 Nexperia 销售代表获取全套 SiC MOSFET 样品。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia:效率致胜。
审核编辑:汤梓红
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原文标题:新品快讯 | Nexperia 首款 SiC MOSFET 提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
文章出处:【微信号:Nexperia_China,微信公众号:安世半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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