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中国大陆企业转向12英寸晶圆和IGBT晶体管

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2023-12-01 13:59 次阅读

据集邦咨询公司28日发表的最新报告书,中国本土企业不顾半导体市场的减速,在12英寸晶片和igbt领域找到了突破口,取得了辉煌的成果。

2023年上半年,中芯国际、华虹半导体、合肥晶合集成电路(Nexchip)和绍兴中芯集成电路(SMEC)等中国国内着名晶圆代工厂的销售增长势头有所减缓。

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其中,华虹营收小幅增加,中芯国际、晶合集成和中芯集成营收同比分别下降19.29%、50.43%和24.08%。由于消费电子、个人电脑通信市场的低迷,中国晶圆厂的业绩呈下降趋势。

2023年上半年,华虹的分立器件收入同比增长33.04%,但增速低于2022年同期。

营业利润出现负增长的前10家上市输出半导体公司从2022年的1家增至4家,净利润出现负增长的公司从1家增至8家。

虽然整体的增长趋势正在钝化,但是igbt已经成为了输出半导体的重要的驱动力。

士兰微、华润微等公司已经开始批量生产igbt, igbt事业正在迅速成长。闻泰科技还在进军igbt领域。特别是从2023年1月开始到7月为止,共17件igbt事业已经开始或签订了合约,累计投资额超过了150亿元人民币,显示出中国企业正在迅速进军igbt领域。

中国的主要半导体企业正在从8英寸晶片转移到12英寸晶片。值得关注的是,花红已经实施了12英寸的生产能力,无锡二期工程正在增建。2023年6月,smic国际第三阶段12英寸特殊工艺硅片生产线第一批生产10,000个。在idm领域,闻泰科技、思兰、华润微等正在建设12英寸晶片工厂,部分生产能力已经启动。

分立器件一般是晶体管二极管电阻电容器、电感等单一功能的所有电路基本部件指着,狭义的分立器件,特别是使用半导体材料制造、受功能、体积、威廉希尔官方网站 制约,无法集成为集成电路的单一功能电路基本元件。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种适合应用高电压,大电流的理想晶体管。IGBT 的额定电压范围为 400V 至 2000V,额定电流范围为 5A 至 1000A (*1),IGBT 广泛用于工业应用(例如,逆变器系统和不间断电源(UPS))、消费类应用(例如,空调和电磁炉),以及车载应用(例如,电动汽车(EV)电机控制器)。

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