【科普小贴士】什么是pn结？
p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。
p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。
在这种状态下，将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“＋”极，这样就产生了电流流动。
来源：东芝半导体
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
27367浏览量
218829 -
PN结
+关注
关注
8文章
481浏览量
48732
发布评论请先 登录
相关推荐
PN结可以单向导电的原理是什么
PN结是由P型半导体和N型半导体紧密接触后形成的。在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子；而在N型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。当P型半导体和N型半导体接触时，由于浓度差，空穴从P区向N区扩散，电子从N区向P区扩散。
半导体PN结的形成原理和主要特性
半导体PN结的形成原理及其主要特性是半导体物理学中的重要内容，对于理解半导体器件的工作原理和应用具有重要意义。以下是对半导体PN结形成原理和主要特性的详细解析。
结型场效应管栅源极之间的pn结
结型场效应管（JFET）栅源极之间的PN结是其核心组成部分之一，对于理解JFET的工作原理和特性至关重要。以下是对该PN结的介绍： 一、
掺杂对PN结伏安特性的影响
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。以下将详细探讨掺杂对
什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种？
PN结的反向击穿是半导体物理学中的一个重要概念，它指的是在PN结处于反向偏置状态时，当外加的反向电压增加到一定程度时，PN
PN结正向偏置和反向偏置的原理
PN结正向偏置和反向偏置是半导体器件（如二极管、晶体管等）中非常重要的两种工作状态，它们的工作原理基于PN结独特的电学性质。以下将详细阐述PN
晶闸管有几个pn结？晶闸管的参数有哪些？
晶闸管是一种四层三端半导体器件，由多层PN结组成。一个标准的晶闸管包含三个PN结，这些PN结交替排列，形成四个半导体区域：阳极区、阴极区以及
PN二极管和PN结二极管的类型
PN结或 PN 二极管由具有两个区域的半导体组成，即 p 区和 n
区，中间有一个结。半导体材料的性质从p型变为n型的结区或过渡区通常非常
pn结加正向电压时空间电荷会怎样
PN结是一种常见的半导体结构，它由p型半导体和n型半导体组成，这两种半导体材料具有不同的掺杂浓度，形成一个正负载流的结构。当在PN结上施加正向电压时，会引起空间电荷效应，即在PN
晶闸管有几个pn结几个电极
晶闸管是一种常用的电子器件，它是由多个PN结组成的，主要包括两个PN结和三个电极。下面我将详细介绍晶闸管的结构、原理和应用。 一、晶闸管的结构 晶闸管是一种由PNP型晶体管和NPN型晶
pn结反向饱和电流到底是怎么形成的 它的大小跟哪些因素有关？
pn结反向饱和电流到底是怎么形成的 它的大小跟哪些因素有关？ PN结反向饱和电流是指当PN结处于
光敏pn结的物理操作
空穴是 p 侧的多数载流子，而自由电子是 n 侧的多数载流子。这些载流子会发生扩散，即粒子从较高浓度移动到较低浓度的趋势。空穴扩散穿过结，从 p 到 n，电子也扩散穿过结，从 n 到 p。这些载流子运动是电流的一种形式；我们称之为扩散电流。
发表于 02-01 16:52
•525次阅读
工商网监
评论