高增益单级运放和增益自举电路设计

一、套筒式(telescopic)单级单端输出运放

figure 1 套筒式运放原理图

设计思路：

1. 通过M9电流200uA，两条支路分别是100uA的电流。我们计算设计仿真的顺序是：M9-M7M8-M5M6-M1M2-M3M4。
2. M9电流大，过驱动电压给大些，Von9=300mV，I9=200uA，利用饱和区电流公式计算M9的W/L。偏置电压用Von+Vth算。
3. M7M8的PMOS管本应该给大Von，但是其二极管连接，Vds大，由于沟道调制效应，所以给小Von=200mV，I=100uA，计算M7和M8的W/L。
4. M5M6手工计算不准确，但还是得初步计算。I=100uA，pmos需给大Von=300mV，算出宽长比。偏置电压Vb1
5. M1和M2，Von=200mV，I=100uA，计算宽长比。偏置电压Vcm=Vds9+Von1+Vth1。此时的Vth1和Vds9都需要仿真后查看再调整输入共模电压。
6. M3和M4与M1和M2宽长比计算一样。Vb2= Vds9+Vds11+Von3+Vth3，同样需要仿真后回头调整。

图2是手算的记录：

figure 2 telescopic手算

M5和M6最难调整，可以将其余的偏置电压确定后，用parametricanalysis扫描一下这两管子的宽，确定一个精确值。在TSMC180nm工艺下，我的电路的参数如下：

DC仿真结果如下：

ac仿真结果如下，低频增益78dB。

二、折叠共源共栅单级单端输出运放

figure 3 折叠共源共栅运放电路原理图

设计步骤与telescopic差不多，主要就是每个偏置电压需要多次仿真调节，M5和M6的宽长比很敏感，需要parametricanalysis扫描一下。图4是手算记录：

figure 4 折叠共源共栅运放参数手算

在TSMC180nm工艺下，电路参数如下表：

dc直流仿真结果如下图：

ac仿真结果如下图，低频增益69dB：

三、增益自举(Gain Booster)

增益自举原理如下图：

将折叠共源共栅运放改进成下面的电路，并给出仿真直流参数：

上面的电路的M5宽长比调节至关重要，要使其Vds恰好给M6提供偏置电压，而M6所需偏压和前述折叠共源共栅的M5和M6一模一样。在TSMC180nm工艺下，该电路参数如下表：

ac仿真结果如下图，低频增益69dB（不知为何增益没有提高，但是GBW增大了一倍，猜测是引入了零点）：

四、总结

不管是折叠共源共栅还是套筒式，电流源负载管M5和M6的偏置电压和宽长比总是最敏感的，需要多次仿真调整。

对于增益自举电路的加入，没能提升共源共栅运放的增益这点有待深入学习。

给过驱动电压Von一般：NMOS小些，PMOS大些，二极管连接的PMOS小些。