0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

gmId设计仿真及MOS管特性

CHANBAEK 来源: 模拟IC设计仿真笔记 作者: 射光所童DJ 2023-11-21 16:35 次阅读

一、gmId设计仿真

以tsmc180nm工艺的nmos2V为例,搭建gmId设计电路schematic如figure1:

图片

figure 1 nmos2V的gmId设计电路原理图

MOS管的长L设置为变量L,宽W设置为1u,栅极加电压为直流变量VGS,电源电压Vcc设置为0.6V。shift+x检查保存后,进行ADE L设置。

图片

figure 2 ADE L设置变量

variables-edit-copy from,设置L=200nm,VGS=300mV。

图片

figure 3 DC设置

analysis-choose-dc,设置如图figure3,扫描参数VGS:0.1V~1.1V。

图片

figure 4 新建save.scs文件

在工作project文件夹下新建workarea文件夹,在workarea里新建save.scs文件,内部写入figure4所示内容,保存。(注意:M0为电路原理图中MOS管的name,我的电路为M0)

图片

figure 5 设置定义文件

在ADE L中,setup-simulationfiles,将刚刚创建的save.scs文件设置为定义文件。如figure5所示。

图片

figure 6 result browser查看DC下各参数值

netlist and run后,ADE L中Tools-resultbrowser,出现figure6窗口,点击psf文件里的DC文件里的M0,底下的signal会显示M0的各个直流参数,每个直流参数里包含所有扫描的VGS下对应的参数值。后面output的设置会用到这些参数值。

图片

figure 7 output设置

在ADE L中,output-setup,输入name,比如gmid,然后open打开计算器,此时在figure6的resultbrowser界面的signal中找到gmoverid参数,右击选择calculator,将gmoverid参数导入计算器中,在output设置界面点击get expression获取表达式,apply一下gmid这个输出参数就设置好了,就可以设置其他参数了。设置其他参数可能需要在calculator中编辑表达式,比如figure7中IdoverW就是用id/W作为表达式。(注意:W不在psf-DC下,而在psf-instance里面。)另外两个表达式:ft=gm/(Cgg*2π),gmro=gm/gds。

图片

figure 8 saving state保存ADE L的设置

在ADE L中,session-savestate,按照figure8设置保存,方便日后调用。

图片

figure 9 参数分析设置

在ADE L中,tools-parametricanalysis,设置MOS管长的变量L为0.13u~1,仿真五条曲线,steps设置5。此时不直接运行,点击file-saveocean script,保存为脚本,命名为gmid.ocn,我们在脚本直接修改设置plot。

图片

figure 10 gmid.ocn保存命名

图片

figure 11 修改gmid.ocn脚本

在工作路径内找到gmid.ocn,打开后将脚本最后的plot全都删除,编辑为figure11的脚本。保存退出即可。

图片

figure 12 运行gmid.ocn脚本进行仿真

不用再用ADE L仿真,直接在命令处输入 load(“gmid.ocn”),回车就进行netlistand run了,得到figure13的以gm/id为横坐标,ft、Av、Id/W为纵坐标的三个图像,每个图有五条不同L的曲线。

图片

figure 13 nmos2v的gmid 仿真结果

二、MOS管特性设计仿真

1.电压转移特性曲线

图片

figure 14 电压转移特性曲线电路原理图以及ADE L设置

电路原理图:漏源电压Vds=3V,栅源电压Vgs设置成变量VGS,用于DC扫描。

ADE L:variables-edit,设置VGS=2V。analysis-choose-dc,在designvariable处从0~2V扫描VGS。Output从原理图中选择漏端端点即为电流

Netlist and run后,即可获得figure15电压转移特性曲线。

图片

figure 15 nmos2V的电压转移特性曲线

由于速率饱和,所以曲线在VGS越大后会变缓,忽略速率饱和就是平方率曲线了。

2.输出特性曲线

图片

figure 16 输出特性曲线电路原理图和仿真环境设置

图片

figure 17 nmos2V输出特性曲线

3.温度特性曲线

在电压转移特性曲线的基础上,在ADE L中利用parametricanalysis设置0~160℃范围内steps=8,得到八条不同温度的电压转移特性曲线。

图片

figure 18 设置parametricanalysis

在parametricanalysis中运行,得到figure19的八条不同温度的电压转移特性曲线。

图片

figure 19 8个不同温度下的电压转移特性曲线

根据figure19,我们知道存在一个点,电压电流不随温度而变化,即零温度系数点。放大图像,找到曲线相交的点即0TC。(686mV,135uA)

图片

figure 20 0 Temp C

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电路原理图
    +关注

    关注

    40

    文章

    347

    浏览量

    38319
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2411

    浏览量

    66774
  • 仿真
    +关注

    关注

    50

    文章

    4074

    浏览量

    133559
  • 电源电压
    +关注

    关注

    2

    文章

    989

    浏览量

    23973
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    详解MOS特性曲线

    从转移特性曲线可以看出:当Vgs上升到Vth时,MOS开始导通电流。
    的头像 发表于 08-29 14:21 4.4w次阅读

    MOSFET-MOS特性参数的理解

    MOSFET-MOS特性参数的理解
    的头像 发表于 12-09 09:12 2335次阅读

    mos仿真

    `1、为什么mos仿真导通了电阻还这么大啊、、2、proteus能做buck电路的仿真吗? 、、、proteus 有模拟开关吗、`
    发表于 05-04 16:50

    MOS晶体等效电路的电学特性的的PSPICE仿真该如何去做?

    MOS晶体等效电路的电学特性的的PSPICE仿真该如何去做?、有啥思路?[em:9:]
    发表于 05-07 20:32

    挖掘MOS电路应用的特性

    `  MOS最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。现在的MOS
    发表于 10-19 15:28

    浅析MOS的电压特性

    特性对开关电源工程师来说至关重要,下面就对MOS特性做一个简要的分析。  一、MOS的电压
    发表于 10-19 16:21

    MOS的构造/工作原理/特性

    什么是MOSMOS的构造MOS的工作原理MOS
    发表于 01-06 07:20

    MOS的开关特性资料推荐

    静态特性 MOS作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
    发表于 04-13 07:50

    MOS具有哪些特性功能应用?

    MOS种类和结构MOS导通特性MOS驱动及应用
    发表于 04-21 06:02

    www.mos-ak.org这个网站是干什么用的?有谁对gmid方法有研究?

    www.mos-ak.org这个网站是干什么用的,谁清楚不,MS是提取MOS参数从而加你一个compact模型的? 有谁对gmid方法有研究,可以交流。
    发表于 06-25 07:42

    MOS特性是什么

    MOS特性: 电压控制导通, 几乎无电流损耗。需要经常插拔电池的产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单最低成本的, 在电源输入中串一个二极, 但二极管有压降(0.7V), 3
    发表于 11-12 07:24

    MOS特性

    mos特性极好的资料
    发表于 12-29 15:36 0次下载

    MOS特性、驱动以及应用电路

    电子发烧友网站提供《MOS特性、驱动以及应用电路.doc》资料免费下载
    发表于 11-14 10:18 1次下载
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>特性</b>、驱动以及应用电路

    MOS的导通条件和导通特性

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层半导体场效应晶体)作为电子工程中的重要元件,其导通条件和导通特性
    的头像 发表于 07-16 11:40 5467次阅读

    MOS的导通特性

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层半导体场效应晶体)作为电子工程中的重要元件,其导通特性对于电
    的头像 发表于 09-14 16:09 625次阅读