0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

英伟达联手SK海力士,尝试将HBM内存3D堆叠到GPU核心上

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2023-11-21 09:53 次阅读

Joongang.co.kr 20日表示,sk海力士开始招募将hbm4以3d堆栈方式直接集成到芯片上的逻辑半导体cpugpu)设计师。

据悉,sk海力士正在与包括英伟达在内的多家半导体公司讨论hbm4综合设计方法。

外电认为,如果nvidia和sk hynix共同设计集成芯片,sk hynix的hbm4芯片很有可能通过半导体芯片的晶片结合威廉希尔官方网站 ,堆积在logic芯片上。为了实现存储芯片与逻辑芯片的合作,共同设计是不可避免的。

如果sk海力士取得成功,不仅将改变逻辑和存储半导体连接的方式,还将改变制造方式等业界运营方式。

hbm spot目前位于cpu或gpu旁边的中间层,使用1024位接口连接逻辑芯片。sk hynix制定了将hbm4直接堆积在logic芯片上,完全消除中介层的目标。

在某些方面,这种方式类似于amd的3d v-cache堆栈,它将l3 sram缓存封装在cpu芯片上,但hbm提供更多容量和更便宜的性能。

由于hbm4需要2048位接口,所以hbm4中继层非常复杂且昂贵。如果能把内存和逻辑芯片堆在一起,从经济效益上看是可能的,但也提出了散热的问题。

像nvidia h100这样的现代逻辑芯片包含非常大的hbm3内存,在提供巨大的vram带宽的同时还能产生数百瓦的热量。因此,逻辑和内存包的放热需要一个非常复杂的方法,这个方法甚至需要考虑液体冷却和/或浸水的放热。

韩国科学威廉希尔官方网站 院电气电子工学系教授Kim Jung-ho表示:“如果2~3代以后发热问题得到解决,hbm和gpu将在没有中介层的情况下统一运行。”

业界有关负责人预测说:“在今后10年内,半导体游戏的规则可能会发生变化,因此存储器和逻辑半导体的差距可能会微乎其微。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • cpu
    cpu
    +关注

    关注

    68

    文章

    10876

    浏览量

    212121
  • Logic
    +关注

    关注

    1

    文章

    97

    浏览量

    46694
  • 逻辑芯片
    +关注

    关注

    1

    文章

    154

    浏览量

    30585
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备

    近日,SK海力士正全力加速其全球首创的16层堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动,为明年初的
    的头像 发表于 12-26 14:46 230次阅读

    英伟加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器

    日,英伟(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟
    的头像 发表于 11-05 14:22 452次阅读

    HBM4需求激增,英伟SK海力士携手加速高带宽内存威廉希尔官方网站 革新

    董事长崔泰源透露,英伟公司首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出请求,希望其能提前六个月供应最新一代的高带宽内存芯片——
    的头像 发表于 11-05 14:13 390次阅读

    英伟SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求

    4。 HBM4作为高带宽内存的最新一代产品,具有出色的数据传输速度和存储能力,对于提升计算机系统的整体性能具有重要意义。因此,英伟作为全球领先的图形处理器(
    的头像 发表于 11-05 10:52 355次阅读

    英伟加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧

    韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK
    的头像 发表于 11-04 16:17 595次阅读

    英伟、台积电与SK海力士携手,2026年量产HBM4内存,能效显著提升

    科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟、台积电与SK海力士三大巨头宣布了一项重大合作,旨在通过组建“三角联盟”共同推进下一代高带宽内存
    的头像 发表于 07-15 17:28 818次阅读

    SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

    在全球半导体威廉希尔官方网站 的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在
    的头像 发表于 06-27 10:50 653次阅读

    SK海力士HBM4芯片前景看好

    瑞银集团最新报告指出,SK海力士HBM4芯片预计从2026年起,每年贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存
    的头像 发表于 05-30 10:27 820次阅读

    SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

    近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线
    的头像 发表于 05-20 09:18 557次阅读

    SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

    SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签
    的头像 发表于 05-06 15:10 512次阅读

    SK海力士采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

    HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM
    的头像 发表于 04-23 16:41 821次阅读

    刚刚!SK海力士出局!

    来源:集成电路前沿,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 3月25日消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟所需的12层
    的头像 发表于 03-27 09:12 631次阅读

    SK海力士预计3月量产HBM3E,供货英伟

    近日,全球存储解决方案领导者SK海力士宣布,他们已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的开发,并且已
    的头像 发表于 02-25 11:22 963次阅读

    SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

    SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察市场对 HBM
    的头像 发表于 02-23 14:12 865次阅读

    SK海力士拟在美国建厂生产HBM芯片

    韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国印第安纳州投资兴建一座先进封装工厂,专注于生产高带宽内存HBM)芯片。这一举措旨在与英伟
    的头像 发表于 02-06 16:10 1274次阅读