长江存储与美光芯片战升级。3D NAND闪存制造商长江存储,已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告,指控美光侵犯了长江存储8项与3D NAND相关的美国专利。
据报道,本次涉案的长江存储的美国专利,包括US10,950,623(3D NAND内存件及其形成方法)、US11,501,822(非易失性存储装置及控制方法)、US10,658,378(三维内存件的直通阵列接触 (TAC))、US10,937,806 (三D内存件的直通阵列接触 (TAC))、US10,861,872(三D内存件及其形成方法)、US11,468,957(NAND内存操作的体系结构和方法)、US11,600,342(三D维闪存的读取方法)、US10,868,031(多层堆叠三D内存件及其制造方法)。
长江存储在提告书中称,美光的128层、176层等许多系列3D NAND侵犯了长江存储8项专利。 美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利威廉希尔官方网站 来与长江存储进行竞争,保护市场占有率,侵犯了长江存储的利益,遏制了创新的动力。
近年来,随着3D NAND威廉希尔官方网站 堆叠到128层甚至更高,周边CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。 为了解决这一问题,长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking威廉希尔官方网站 。
长江存储科成立于2016年7月,总部位于湖北武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。
网信办于今年5月21日公布,美光在大陆销售的产品,存有严重的网络安全问题,未通过审查,因此大陆营运商应停止采购美光的产品,代表美光产品在大陆将面临禁售危机。
英国金融时报报道,美国于2022年10月对先进芯片生产设备实施出口限制措施,并将长江存储等36家陆企列入贸易黑名单。
调查发现,美光多年来一直扮演「商业抓耙子」角色,早年美日半导体竞争之际,美光曾控拆日本多家企业倾销DRAM产品,加上近4年美光提交逾170个游说内容都与大陆有关,基于前述两理由,合理质疑美光这次围杀陆记忆体芯片产业,美光可能是幕后推手。
审核编辑:汤梓红
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