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使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(上)

CHANBAEK 来源: ARK micro 作者:ARK(方舟微) 2023-11-08 11:30 次阅读

前言

尽管说如今的充电器,集成度越来越高,外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的输出电压,更宽的输出电压范围,超出了高耐压的原边控制器供电范围,同时现有的同步整流控制器,也无法应用在高输出电压下,令工程师的选型很是头疼。

为了应对PD3.1升级输出电压后,宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题,ARK(方舟微)推出了一系列具有特殊功能的MOSFET,可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路,从而简化电源中对于控制器的供电设计,并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下,拓展现有芯片的供电范围,保证产品出货。

ARK(方舟微)

ARK(方舟微)自主研发的专利产品100V、150V、600V等系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎,成为众多高端品牌充电设备首选器件。目前,已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍选用。

DMZ1015E/DMX1015E

ARK(方舟微)DMZ1015E/DMX1015E是一颗耐压100V的耗尽型NMOS,是原DMZ0615E/DMX0615E的升级版本,采用特有超高阈值“UItraVt”威廉希尔官方网站 (ARK专利),可为负载提供稳定的供电,且输出电压可由内部钳位,无需稳压管,简化电路设计

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电源电路更加简化

DMX1015E (SOT-89封装),耗散功率1W,能承受更宽的输入电压,适合单绕组的VCC供电;DMZ1015E (SOT-23封装) 耗散功率0.5W,适合双绕组的VCC供电;可根据耗散功率灵活选用。

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DMZ1315E(L)/ DMX1315E (L)****

Type-C/PD充电器中,ARK(方舟微)研发的DMZ1315E(L)/DMX1315E(L)可作为高压线性稳压源,特有超高阈值 “UItraVt”威廉希尔官方网站 (ARK专利) ,利用其亚阈值特性实现稳定的电压或电流输出,PWM IC电源电路更加简化。

DMZ(X)1015E升级版

DMX1315E(L) (SOT-89封装) 耗散功率1W,能承受更宽的输入电压,适合单绕组的VCC供电,DMZ1315E(L) (SOT-23封装)耗散功率为0.5W,适合双绕组的VCC供电。

该系列属于DMZ(X)1015E的升级版,耐压提高至130V,不仅适用于原DMZ(X)1015E的所有应用方案,还可用于对电压有更高要求的方案(如PD3.1中新增的28V/5A输出)。

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节约成本

ARK(方舟微)推出的一系列耗尽MOSFET,适配绝大多数开关电源控制器供电需求,利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性,能够简化传统控制器用于高压以及宽电压输出的供电电路设计,降低研发难度的同时,降低整体物料成本。

国产替代

ARK(方舟微)作为快充领域电路稳压与保护器件的供应商,陪伴充电设备14年,从摩托罗拉到华为;从三星到Google;从手机充电到汽车充电,几乎覆盖所有充电产品!

ARK(方舟微)产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品,实现国产替代,被国内外客户广泛采用。

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