罗姆推出两个新系列的低导通电阻 100V 双通道场效应管

罗姆半导体推出了双 MOSFET，该器件在单个封装中集成了两个 100V 芯片，使其适用于驱动通信基站和工业设备中的风扇电机。这五款新型号已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。

近年来，通信基站和工业设备已从传统的12V/24V系统转向48V系统，以通过降低电流值来提高效率。在这些情况下，开关MOSFET需要具有100V的耐压以应对电压波动，因为风扇电机中也使用48V电源进行冷却。

然而，增加击穿电压会增加导通电阻(RDS(on))，导致效率降低，并且难以同时实现低RDS(on)和高击穿电压。此外，在一个封装中集成两个芯片的双通道MOSFET越来越多地用于节省风扇电机的空间，而不是通常使用的大量单个驱动MOSFET。

作为回应，ROHM 创建了两个新系列 – HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) 和 HP8MEx (Nch+Pch) – 它们利用最新的制造威廉希尔官方网站 结合了 Ncher 和 Pch MOSFET 芯片。通过采用具有出色散热特性的新型背面散热封装，两个系列都实现了业界最低的RDS(on)。

因此，与传统的双通道MOSFET相比，RDS(on)降低了56%之多(HSOP8为19.6 mΩ，HSMT8 Nch+Nch为57.0 mΩ)，从而显著降低了功耗。同时，将两个芯片组合在一个封装中，通过显著减少面积来节省更大的空间。例如，用一个 HSOP8 替换两个 TO-252 单芯片 MOSFET 可将占位面积减少 77%。

接下来，ROHM 将继续开发双通道 MOSFET 的低噪声变体，以承受工业设备的最佳电压。预计这将通过节省空间和降低各种应用中的能源消耗，为解决环境保护等社会问题做出贡献。

审核编辑：彭菁