0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级,正采购新设备备产 236 层 NAND

传感器专家网 来源:IT之家 作者:IT之家 2023-10-18 08:35 次阅读

10 月 16 日消息,上周一,三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据 Business Korea 报道,三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并已开始大规模扩张。

消息人士称,三星已开始采购最新半导体设备,新设备预计将在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备,这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。

公开资料显示,三星(中国)半导体有限公司 2012 年落户西安高新区,而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。

该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目,目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地,每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆,这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元,2017 年开始建造的第二工厂,先后投资了 150 亿美元(当前约 1096.5 亿元人民币)。

外媒认为,三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球 NAND 市场环境没有表现出明显的复苏迹象,而在这种情况下三星需要保持其在 NAND 市场的全球领导地位;另一个原因就是美国刚刚发布的无限期豁免。

由于产能严重过剩,再加上去年年底以来全球 IT 市场需求严重低迷,半导体市场疲软严重影响了三星的 NAND 业务,导致库存水位一直增加,进而导致亏损不断扩大。即使在通过减产政策略降低产量后略有改善,但目前三星依然需要尽快实现工艺升级。

通过升级最新的第 8 代 NAND 产品,三星不仅可以确保价格竞争力,而且考虑到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圆投入减少约 30%,更能平衡市场供应和需求。

据称,作为第 6 代(128 层)V-NAND 主要生产基地,西安工厂自三星 4 月份宣布减产以来,其开工率也出现了大幅下降,目前整体开工率已降至 20% 左右。

外媒认为,美国虽然暂时放宽了对中国半导体设备的限制,但这对于三星和 SK 海力士来说仅仅只是一个暂时的喘息机会。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27320

    浏览量

    218292
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1681

    浏览量

    136141
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1523

    浏览量

    31219
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进
    发表于 12-17 17:34

    三星苏州先进封装厂将扩

    ,内部封装工艺的重要性正在上升。为此,三星集中力量提升封装能力,以保持威廉希尔官方网站 领先并缩小与 SK Hynix 的差距。 业内人士消息三星电子
    的头像 发表于 11-25 15:28 175次阅读

    三星半导体将出售生产线的旧设备

    三星电子很快就会开始销售各条前端和后端生产线的旧设备,其中包括位于中国西安NAND快闪厂,预计因美国政府压力而堆积导致无法及时出售的设备
    的头像 发表于 11-17 14:40 247次阅读

    三星电子计划新建封装工厂,扩HBM内存

    三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在
    的头像 发表于 11-14 16:44 464次阅读

    三星扩建半导体封装工厂,专注HBM内存生产

    方式获得三星显示的一座大楼,并计划在年内完成该建筑的半导体后端加工设备导入。 此次扩建工厂的背景是,
    的头像 发表于 11-13 11:36 519次阅读

    三星将出售西安芯片厂旧设备线

    三星电子即将启动一项重大举措,计划出售位于中国西安NAND闪存工厂的旧设备线。这一决定标志
    的头像 发表于 11-12 14:36 571次阅读

    今日看点丨三星将出售西安芯片厂旧设备线;理想汽车声明!未设立任何销售代理或授权经销商

    1. 三星将出售西安芯片厂旧设备线   三星电子很快将开始销售各条前端和后端工艺生产线的旧
    发表于 11-07 11:11 596次阅读
    今日看点丨<b class='flag-5'>三星</b>将出售<b class='flag-5'>西安</b>芯片厂旧<b class='flag-5'>设备</b>及<b class='flag-5'>产</b>线;理想汽车声明!未设立任何销售代理或授权经销商

    三星电子将出售中国工厂设备,含西安NAND闪存厂生产线

    三星电子即将启动一项计划,将其位于中国西安NAND闪存工厂以及其他前端和后端工艺生产线的旧设备
    的头像 发表于 11-06 14:00 505次阅读

    三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存线投资

    据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存线,并预计该线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着
    的头像 发表于 08-13 14:29 518次阅读

    三星电机与LG Innotek竞相加速AI半导体基板布局

    在全球半导体基板市场风起云涌之际,韩国两大巨头三星电机与LG Innotek全力加速人工智能(AI)半导体基板业务的布局。最近,三星电机在
    的头像 发表于 06-28 09:56 738次阅读

    复苏?三星重启一半导体工厂

    来源:满天芯 编辑:感知芯视界 Link 三星电子计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始,这被解读
    的头像 发表于 06-26 09:30 521次阅读

    三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品,采用290双重堆叠威廉希尔官方网站

    作为九代V-NAND的核心威廉希尔官方网站 ,双重堆叠威廉希尔官方网站 使旗舰V8闪存的层数从236增至290,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星
    的头像 发表于 04-28 10:08 759次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 604次阅读

    三星西安NAND厂开工率回升至70%

    三星电子,全球半导体产业的领军企业,近期在其位于中国西安NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升,从去年的低谷20-30%提升至目前的70%
    的头像 发表于 03-14 12:32 809次阅读

    三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购
    的头像 发表于 01-08 10:25 995次阅读