关于高数值孔径EUV和曲线光掩模等灯具的讨论

半导体芯科技编译

来源：Silicon Semiconductor

eBeam Initiative已完成第12届年度eBeam Initiative杰出人物调查。

来自半导体生态系统（包括光掩模、电子设计自动化（EDA）、芯片设计、设备、材料、制造和研究）的47家公司的行业知名人士参与了今年的调查。

80%的受访者认为，到2028年，将有多家公司在大批量制造（HVM）中广泛采用高数值孔径EUV光刻威廉希尔官方网站 ，与去年调查中报告的比例相同。此外，与去年的调查相比，对前沿掩模商能够处理曲线掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人预测前沿掩模至少可以处理有限数量的曲线掩模。

今年的杰出人物调查中增加了新问题，评估人们对EUV和非EUV前沿掩模和图案的看法。70%的人表示曲线逆光刻威廉希尔官方网站 （ILT）对于非EUV前沿节点非常有用，而75%的人同意2纳米、0.33 NA EUV需要该威廉希尔官方网站 。预计通过光化测试检查EUV掩模的百分比将在三年内翻一番，从2023年的加权平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模写入机来写入EUV掩模 。

近日，专家小组在与加州蒙特雷SPIE光掩模威廉希尔官方网站 + EUV光刻会议联合举办的eBeam Initiative活动中讨论灯具调查的完整结果。

杰出人物调查（2023年7月进行）的其他亮点

• 83%的受访者预测，2023年掩模收入将增加或保持不变，尽管SEMI预测掩模市场将收缩3%

• 82%的人预测，到2027年，高数值孔径EUV将首先用于HVM

• 71%的人认为，高数值孔径EUV的最小掩模尺寸将为20 nm或以下

• 大多数受访者预测，未来三年用于多光束掩模写入机（77%）和掩模检测（63%）的仅193i设备采购量将会增加

• 83%的受访者认为，“非EUV前沿”（193i光刻达到经济可行性实际极限的节点）在>5 nm 至14 nm范围内

eBeam Initiative的管理公司赞助商D2S首席执行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物调查的参与者是一群独特的半导体内部人士，他们对塑造该行业的市场和威廉希尔官方网站 趋势有着敏锐的洞察力。在过去几年中，调查指出曲线ILT的使用增加是EUV和193i的主要趋势。今年的调查结果表明，人们对曲线掩模（包括非EUV 前沿节点）仍然充满信心，并且存在在更关键层使用ILT的趋势。得益于多光束掩模写入和GPU加速，现在可以实现曲线掩模。曲线掩模展示了诸如工艺窗口增加高达100%等优势，表明它们可以成为将当前光刻威廉希尔官方网站 扩展到更先进节点的解决方案的一部分。”

审核编辑 黄宇