意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%-电子发烧友网

意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%

2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT 晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。

新推出的STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压Vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。

新IGBT具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电饭锅等家用电器。在2kW应用中，意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%。

此外，Vce(sat) 具有正温度系数效应，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并轻松并联多个 IGBT管，以满足高功率应用需求。

该系列先期推出的两款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 现已量产，采用标准 TO-247 长引线功率封装。

审核编辑：刘清

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原文标题：意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

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