今天就沿着车规级零部件测试这个主题,和大家一起分享一下AEC-Q200的环境试验条件。
AEC-Q200的环境试验条件
AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但高温下的工作寿命是必要的,温度循环和温度冲击,它们的测试目的和手法是不同的,温度循环下的高低温的变化需要温变率的控制,温冲击就不需要了,偏高湿度是通常所说的高温高湿测试,湿度抵抗是湿冷冻测试;
试验条件注意事项:
1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测。
高温储存(MIL-STD-202-108)
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h;
电感、变压器、电阻:125℃/1000h;
变阻器:150℃/1000h;
高温工作寿命(MIL-STD-202-108)
网络低通滤波器、网络电阻:85℃/1000h;
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h/施加额定IL;
钽电容、陶瓷电容:最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压;
铝电解电容、电感、变压器:105℃/1000h;
薄膜电容:1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压;
自恢复保险丝:125℃/1000h;
电阻、热敏电阻、可变电容:125℃/1000h/额定电压;
可变电阻:125℃/1000h/额定功率;
变阻器:125℃/1000h/额定电压85%+ma电流;
陶瓷共鸣器:85℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容;
石英震荡器:125℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容;
温度循环(JEDEC22A-104)
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:
-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles;
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
铝电解电容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles;
网络低通滤波器、网络电阻:
-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
温度冲击(MIL-STD-202-107)
自恢复保险丝:
-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles;
偏高湿度(MIL-STD-202-103)
钽电容、陶瓷电容:85℃/85%R.H./1000h/电压1.3~1.5V;
电感&变压器:85℃/85%R.H./1000h/不通电;
铝电解电容:85℃/85%R.H./1000h/额定电压 ;
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压&电流;
电阻、热敏电阻:85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%;
自恢复保险丝:85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%;
可变电容、可变电阻:85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%;
网络低通滤波器&网络电阻:85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)];
变阻器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压85%+ma电流;
石英震荡器、陶瓷共鸣器:85℃/85%R.H./1000h/额定;VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容;
薄膜电容:40℃/93%R.H./1000h/额定电压;
湿度抵抗(MIL-STD-202-106)
薄膜电容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h,每一cycle共24h,step7a&7b不通电;
上述各种检测均来自AEC-Q200实施标准,对于以上检测条件,金鉴实验室均可提供相应的检测解决方案,希望对大家的检测有所帮助。有兴趣者可下方留言探讨。
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