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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET

深圳市汽车电子行业协会 来源:东芝半导体 2023-09-07 09:59 次阅读

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品目前已开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

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使用SiC MOSFET的3相逆变器

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简易方框图

应用

开关电源(服务器、数据中心通信设备等)

●电动汽车充电站

● 光伏变频器

●不间断电源(UPS)

特性

●4引脚TO-247-4L(X)封装:

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,可降低开关损耗

●第3代碳化硅MOSFET

●低漏源导通电阻×栅漏电荷

●低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

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审核编辑:刘清

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原文标题:【会员风采】东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

文章出处:【微信号:qidianxiehui,微信公众号:深圳市汽车电子行业协会】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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