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双束聚焦离子束FIBSEM在微电子威廉希尔官方网站 中的应用

jf_05111693 来源:jf_05111693 作者:jf_05111693 2023-09-04 18:49 次阅读

近期不少客户朋友咨询博仕检测工程师,关于芯片横截面采用FIB切片分析的制样品的问题,这篇文章分享给大家,希望能帮到大家。

聚焦离子束威廉希尔官方网站 (FIB)原理:

聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱,用强烈的聚焦离子束轰击标本表面,以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化成Ga+,然后利用电场加速,再利用静电透镜聚焦将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。

(PS大多数商用FIB都用Ga源,也有部分具有He和Ne等离子源)

聚焦离子束FIB切片截面分析过程:

FIB威廉希尔官方网站 可以精确地在器件的特定微区进行截面观测,形成高分辨的清晰图像,并且对所加工的材料没有限制,同时可以边刻蚀边利用SEM实时观察样品,截面分析是FIB最常见的应用。这种刻蚀断面定位精度极高,在整个制样过程中样品所受应力很小,制作的断面因此也具有很好的完整性。这种应用在微电子领域具体运用场合主要有:定点观测芯片的内部结构;失效样品分析烧毁的具体位置并定位至外延层;分析光发射定位热点的截面结构缺陷。

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聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统 FIB-SEM应用

聚焦离子束-扫描电镜双束系统主要用于表面二次电子形貌观察、能谱面扫描、样品截面观察、微小样品标记以及TEM超薄片样品的制备。

FIB-SEM测试:

线路板PCB电路断裂位置,利用SEM观察铜箔金相。

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FIB切割PCB电路截面分析


FIB切割PCB电路截面分析

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微米级芯片样品缺陷FIB-SEM截面测试

半导体芯片横截面分析 -FIB-SEM EDS 测试

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审核编辑 黄宇

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