30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺威廉希尔官方网站 制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
30v大电流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,漏极电流Tc=25℃:282A,导通电阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V,具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。
30V低压mos管SVG031R1NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,漏极电流Tc=25℃:229A,导通电阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。
30v贴片mos管SVG031R7NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,漏极电流Tc=25℃:138A,导通电阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。
耐压30v mos管SVG032R4NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,漏极电流Tc=25℃:100A,导通电阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。
30V超低内阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封装,并已大批量量产,典型应用于电源市场同步整流、小功率电机/电动工具、电子烟、锂电分容柜等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域,更多MOS管产品手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>
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