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30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案

深圳市骊微电子科技 2022-08-01 14:35 次阅读

MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果,充分发挥其“螺丝钉”的作用,30V-200V mos管广泛应用于不间断电源逆变器系统的电源管理领域。

30V/60V/80V/100V/150V/200V n沟道mos管选型

30V mos管常用型号:

SVG030R7NL5封装PDFN56,导通内阻0.7mΩ

SVG031R1NL5封装PDFN56,导通内阻1.1mΩ

SVG031R7NL5封装PDFN56,导通内阻1.7mΩ

SVG032R4NL5封装PDFN56,导通内阻2.4mΩ。

40V-60V mos管选型:

SVG041R2NL5封装PDFN56电压40V导通内阻1.2mΩ

SVG042R5NL5封装PDFN56 电压40V,导通内阻2.5mΩ

SVG069R5ND封装TO252,电压60V,导通内阻6.9mΩ

SVGP069R5NSA封装SOP8,电压60V,导通内阻6.9mΩ。

80V mos管选型:

SVG083R4NS封装TO263,导通内阻3.4mΩ

SVG083R4NT封装TO220,导通内阻3.4mΩ

SVG083R6NL5封装PDFN56导通内阻3.6mΩ

SVG086R0ND,装TO252导通内阻6.0mΩ

SVG086R0NL5封装PDFN56导通内阻6.0mΩ

SVG086R0NS封装TO263导通内阻6.0mΩ

SVG086R0NT封装TO220,导通内阻6.0mΩ。

100V mos管选型:

SVG103R0NP7封装TO247,导通内阻3.0mΩ

SVG103R0NS封装TO263,导通内阻3.0mΩ

SVG103R0NS6 封装TO263-6,导通内阻3.0mΩ

SVG103R0NT封装TO220,导通内阻3.0mΩ

SVG104R0NS封装TO263,导通内阻4.0mΩ

SVG104R0NT封装TO220,导通内阻4.0mΩ

SVGP104R1NL5封装PDFN56,导通内阻4.0mΩ

SVG104R5NF封装TO220F,导通内阻4.5mΩ

SVG104R5NS封装TO263,导通内阻4.5mΩ

SVG104R5NT封装TO220,导通内阻4.5mΩ

SVGP104R5NAT封装TO220,导通内阻4.5mΩ

SVGP104R5NS封装TO263,导通内阻4.5mΩ

SVGP104R5NT 封装TO220,导通内阻4.5mΩ

SVG105R0NL5封装PDFN56,导通内阻5.0mΩ

SVG105R4NS封装TO263,导通内阻5.4mΩ

SVG105R4NT封装TO220,导通内阻5.4mΩ

SVG105R5NT封装TO220,导通内阻5.4mΩ

SVGP107R0NL5封装PDFN56,导通内阻7.0mΩ

SVG108R5NAD封装TO252,导通内阻8.5mΩ

SVG108R5NAMJ封装TO251J,导通内阻8.5mΩ

SVG108R5NAMQ封装TO251Q,导通内阻8.5mΩ

SVG108R5NAT 封装TO220,导通内阻8.5mΩ。

150V mos管选型:

SVGP157R2NS封装TO263,电压150V,导通内阻7.2mΩ

SVGP157R5NT封装TO220,电压150V,导通内阻7.5 mΩ

SVGP15140NL5A封装DFN56,电压150V,导通内阻14.0 mΩ。

200V mos管选型:

SVGP20110NS封装TO-220-3L、电压200V,导通内阻9.6mΩ

SVGP20110NT封装TO-220-3L,电压200V,导通内阻9.6mΩ

SVGP20500NL5封装PDFN-8-5*6,电压200V,导通内阻42mΩ

SVT20240NT封装TO-220-3L,电压200V,导通内阻19.7mΩ。

30V/60V/80V/100V/150V/200V n沟道mos管选型

在选择MOS管时,不同的应用需求千变万化,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的电压极限参数、最大额定栅源电压VGS、影响损耗的主要参数、导通电阻等,一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,从而获得最佳的产品设计体验,更多30V/40V/60V/80V/100V150V/200V常用mos管选型及进口替代请咨询士兰微MOS代理骊微电子。>>


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