国芯思辰｜基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流

车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。

通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关，可提升车载充电机整机效率。

碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下：

1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。

2、反向电压（重复峰值）最大额定值为1200V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。

3、连续正向电流最大额定值为30A，可承受的正向浪涌电流最大额定值为135A（10ms正弦波，25℃），浪涌保护能力强。

4、在25℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。

5、采用TO-247-3封装，利于设计。

二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。

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