华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利-电子发烧友网

华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利

华为科技有限公司近日新增多项专利信息，其中一项专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”，公开编号为cn116636017a。

根据专利摘要，本申请提供集成电路威廉希尔官方网站领域，场效应晶体管，可以简化集成电路的制造过程，降低生产费用。集成电路由设置在基板和基板上的finfet组成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一个声道层。第一声道层包括层层交替的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层的材料和第二半导体层的材料不同。gaafet和/或forksheet fet包含第二声道层。第二声道层包括层层交替的第三半导体层和控制层。控制层包括栅极延长部和设置在栅极延长部侧面的第一个网格介质层。栅极的延长部分与第二栅极接触。其中多层的第一半导体层与多层的第三半导体层相对应，多层的第一半导体层中的一层与多层的第三半导体层相对应的一层属于同一图案的一层。

据了解，截至2022年底，华为拥有有效授权专利超过12万项，主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东、非洲。华为在中国和欧洲分别拥有4万多项专利，在美国拥有22000多项专利。

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