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佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速闪存

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-07-27 17:01 次阅读

手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位,其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。

针对旗舰智能手机,佰维推出了UFS3.1高速闪存,写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度高达2100MB/s,容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量),尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是,佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证,是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时,佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案,其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps,容量最高可达64Gb。

固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在,佰维依托自研固件算法能力,同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范,为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能,确保产品高速运行的同时,降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现,助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。

嵌入式存储领域,佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业,目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来,佰维将持续深化研发封测一体化布局,发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势,赋能移动智能终端市场和客户。

审核编辑:汤梓红

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