派恩杰半导体650V-1700V碳化硅器件满足车规级要求

6月26-27日，由NE时代主办的2023第三届全球xEV驱动系统威廉希尔官方网站 暨产业大会在上海嘉定如期召开。本次大会围绕“双循环 · 新格局”的主题，重点聚焦国内外新能源汽车行业发展业态。大会吸引了来自新能源汽车电驱动整车厂、驱动系统产业链、相关材料、设备、测试等上下游应用厂商，以及行业机构、科研院校、园区等的近千名嘉宾参与。业界大咖齐聚一堂，就“电驱产业‘双循环，新格局’ ”、“电驱动系统和关键部件威廉希尔官方网站 ”、“电机控制和关键器件威廉希尔官方网站 ”、“驱动电机新威廉希尔官方网站 和新工艺”等话题展开热烈讨论。

派恩杰半导体受邀并携公司650V-1700V碳化硅器件及功率模块亮相，引起与会威廉希尔官方网站 专家和客户的广泛关注。凭借国际领先的威廉希尔官方网站 水平和卓越的性能表现，赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。

HPD 封装SiC模块

派恩杰1200V/400A SiC 模块PAAC12400CM，采用Press-fit威廉希尔官方网站 与驱动板进行连接，使得装配过程更加可靠，派恩杰HPD封装SiC模块最大持续工作电流为400A，采用Pin-Fin结构利用水道进行散热，显著提高功率模块散热效率，提高模块的功率密度。派恩杰HPD模块专门为800V电机驱动系统开发，满足车规级要求。

同时，派恩杰设计专用模块测试评估板对模块进行动态参数设计，通过外部控制信号对模块进行双脉冲测试，驱动能力高达±30A，该评估板可直接压接在HPD封装模块上，板子尺寸为168mm*93mm，六路独立的驱动电源和驱动芯片可以轻松驱动PAAC12400CM。

作为一家主营车规级碳化硅功率器件的半导体公司，派恩杰致力于为客户提供稳定可靠的产品，并提供优质的服务。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通过AEC-Q101车规级测试认证外，还进行多个内外部测试。

例如SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究，1000h的AC BTI试验Rdson变化率结果显示，派恩杰测试器件的Rdson变化率均小于1%，且不随时间推移变化，性能稳定，几乎达到硅MOSFET可靠性水平。

马拉松性能测试，派恩杰的P3M12080K3产品在栅压条件Vgs = 25V，环境温度175℃的条件下，能够很好地消除SiC材料的失效风险，PPM为个位数，与国际竞品厂商论文及报告中的器件可靠性接近。这也意味着派恩杰产品不仅能通过严苛的车规测试，也可以很好地适用于新能源和光伏等领域。

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告，在Vgs=-5V，Isd=5A的测试条件下，壳温达到130℃左右，P3M12080K3体二极管经过1000h直流可靠性测试，器件的性能退化均比较小，器件参数变化率远低于20%的失效标准。

展会精彩瞬间

派恩杰半导体始终坚持自主研发，致力于推动碳化硅器件国产替代。截至目前，派恩杰半导体量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货并广受好评。面向未来，派恩杰期待以领先的威廉希尔官方网站 以及对行业的深刻理解为客户带来质量稳定和安全可靠的功率芯片，为实现低碳节能、绿色可持续发展做出贡献。

第三代宽禁带半导体材料前沿威廉希尔官方网站 探讨交流平台，帮助工程师了解SiC/GaN全球威廉希尔官方网站 发展趋势。所有内容都是SiC/GaN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

黄兴博士

派恩杰 总裁 &威廉希尔官方网站 总监

美国北卡州立大学博士，师承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家威廉希尔官方网站 创新奖章）与Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管（ETO）的发明者）。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验，在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目，曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。2018年成立派恩杰半导体，立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。