功率场效应管有哪些类型？功率场效应管的选择标准

功率场效应管的主要类型

功率MOSFET的类型：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时，有导电通道和增强型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零，功率MOSFET主要是N沟道增强。

•耗尽模式：正通常切换为“ON”，无栅极偏置电压，但需要栅极至源极电压（Vgs）才能将器件切换为“OFF”

•增强模式：正常关闭。

•N沟道MOSFET：正电压和电流。

•P沟道MOSFET：负电压和电流。

•低压MOSFET：BVDSS范围为0V至200V。

•高压MOSFET：BVDSS大于200V。

功率场效应管的选择标准

如何根据制造商的说明书选择符合您需求的产品？可以采取以下四个步骤来选择合适的MOSFET。

频道选择

选择正确器件的第一步是确定是N沟道还是P沟道MOSFET。用于典型的电源应用。当MOSFET接地且负载连接到主线路电压时，MOSFET形成低压侧开关。在低压侧开口时，应采用N沟道MOSFET，这是由于考虑了闭合或传导器件所需的电压。当MOSFET连接到总线和负载接地时，使用高压侧开关。通常，这种拓扑结构中使用P沟道MOSFET，这也是由于考虑了电压驱动。

电压和电流

额定电压越大，器件成本越高。根据实践经验，额定电压应大于干线电压或母线电压。只有这样才能提供足够的保护，以确保MOSFET不会失效。对于MOSFET的选择，有必要确定漏极和源极之间可能采用的最大电位电压，即最大VDS要考虑的其他安全因素。设计工程师包括由开关电子设备（如电机或变压器）引起的电压瞬变。

不同应用的额定电压也不同;通常便携式设备为20V，FPGA电源为20~30V，85~220VAC应用为450~600V。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，电流连续通过器件。脉冲尖峰是指流过器件的大量浪涌（或尖峰电流）。一旦确定了这些条件下的最大电流，就需要直接选择能够承受最大电流的设备。

传导损耗的计算

MOSFET器件的功率损耗可以通过Iload2*RDS（ON）计算。由于导通电阻随温度变化，功耗也会成比例变化。对于便携式设计，使用较低的电压更容易，但对于工业设计，可以采用更高的电压。请注意，RDS（ON）的电阻会随着电流而略有增加。有关RDS（ON）电阻的各种电气参数可在制造商提供的威廉希尔官方网站 数据表中找到。

计算系统的散热要求

设计师必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议使用最坏情况的计算结果，因为此结果提供了更大的安全裕度，以确保系统不会出现故障。MOSFET表上还有一些测量数据，例如半导体结与环境之间的热阻，以及最高结温。

开关损耗也是一个非常重要的指标。电压和电流的乘积在导通的瞬间相当大，这在一定程度上决定了器件的开关性能。但是，如果系统需要相对较高的开关性能，则可以选择相对较小的栅极功率QGMOSFET。