三星3纳米良率不超过20% 将重新拟定制程工艺时间节点
三星制程工艺时间节点更新，2025年2nm，2027年1.4nm 。
三星最新公布的制程工艺威廉希尔官方网站 路线图显示，该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺，以满足客户对高性能处理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
三星虽然公布了自家的 3 纳米制程工艺已经达到了可以批量生产的标准，但因为三星工艺在骁龙 888 和骁龙 8Gen1 两款芯片上的表现并不尽如人意。
尽管三星在4纳米和5纳米工艺上仍然有产量问题，但在3纳米工艺上却面临更大的良率问题，因此与Silicon Frontline Technology公司合作，改进晶圆厂前端工艺和芯片性能已成为他们的必需之举。
而与目前的4纳米和5纳米工艺相比，3纳米制程工艺在性能和能效比上有较大的提升，但三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，这让它们陷入了瓶颈。
根据最新的威廉希尔官方网站 路线图，三星计划在2025年推出2纳米级SF2工艺，2027年推出1.4纳米级SF1.4工艺。
编辑：黄飞
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
19265浏览量
229686 -
制程工艺
+关注
关注
0文章
43浏览量
9434 -
2nm
+关注
关注
1文章
203浏览量
4512 -
三星
+关注
关注
1文章
1522浏览量
31212
发布评论请先 登录
相关推荐
三星3nm良率仅20%，仍不放弃Exynos 2500处理器，欲打造“十核怪兽”
，导致Exynos 2500良率不佳的原因是，这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——
三星3nm芯片良率低迷，量产前景不明
近期，三星电子在半导体制造领域遭遇挑战，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工艺上的生产良率持续低迷，目前仍低于
台积电3nm工艺稳坐钓鱼台，三星因良率问题遇冷
近日，全球芯片代工领域掀起了不小的波澜。据媒体报道，台积电在3nm制程的芯片代工价格上调5%之后，依然收获了供不应求的订单局面。而与此同时，韩国的三星电子在3nm
三星第五代DDR产品良率不达标
据报道，三星电子在最新的半导体威廉希尔官方网站
探索中遭遇了挑战。其第五代10nm级（1b）制程DRAM的良率尚未达到业界通常期望的80%~90%的水平，这一状况引发了业界的广泛关注。
传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
近日，据韩国媒体报道，三星在其1b nm（即12nm级）DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前，该制程的良
三星电子股东回报率超过科技巨头
根据报道，过去一年间，三星电子、微软、Meta 等企业财务数据表明，三星电子较同行表现更为出色，股东回报率达到了惊人的 77.6%，远远超过微软的 57.5% 以及 Meta 的 59
三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%！
3月13日消息，据外媒报道，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）威廉希尔官方网站
。
三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”！
近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
三星启动二代3纳米制程试制，瞄准60%良率
台积电是全球领先的半导体制造企业，也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户，并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
三星研发一种用于提高半导体良率和产能的“智能传感器系统”
12月26日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子正在开发自己的“智能传感器系统”，用于对半导体工艺的控制和管理。这项新威廉希尔官方网站
有望提高半导体良率、提高生产
工商网监
评论