Atonarp 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀 3D NAND 存储器
Aston™质谱分析仪应用于沉积和刻蚀 3D NAND 存储器
3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程; 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.
3D NAND 工艺概述
| 工艺步骤 |
| 堆叠沉积: 交替氧化物（蓝色）和氮化物（绿色）薄膜沉积（每个堆叠 >200 对） | 通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层（每个晶片>1 万亿个孔） | 阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的. | |
| ASTON 优势 | 均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程. | 高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™质谱能够在腔内测量蚀刻反应物. |
蚀刻轮廓控制精度（埃）. 蚀刻深度能力（微米）. Aston™质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻 |
| 工艺步骤 |
| 狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列. | 字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 除去氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺（紫色）创建钨字线. | 晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面 | |
| ASTON优势 | Aston™质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度. | 除去氮化层并填充钨. Aston™质谱仪实现了分子水平的控制. |
来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
Aston™ 质谱仪优势
ppb 级灵敏度的高速采样
非常适合高纵横比的 3D 结构
耐腐蚀性气体, 坚固紧凑
易于集成到工具平台中
沉积应用中: 实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程
蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁
Atonarp Aston™ 威廉希尔官方网站 参数
| 类型 | Impact-300 | Impact-300DP | Plasma-200 | Plasma-200DP | Plasma-300 | Plasma-300DP |
| 型号 | AST3007 | AST3006 | AST3005 | AST3004 | AST3003 | AST3002 |
| 质量分离 | 四级杆 | |||||
| 真空系统 | 分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
分子泵 |
分子泵 隔膜泵 |
| 检测器 | FC /SEM | |||||
| 质量范围 | 2-285 | 2-220 | 2-285 | |||
| 分辨率 | 0.8±0.2 | |||||
| 检测限 | 0.1 PPM | |||||
| 工作温度 | 15-35“℃ | |||||
| 功率 | 350 W | |||||
| 重量 | 15 kg | |||||
| 尺寸 | 299 x 218 x 331 LxWxH(mm) | 400 x 240 x 325 LxWxH(mm) |
若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请联络
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