碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
性能方面:
更低的比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。
更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高的可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。
更高的工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。
应用方面:
第二代碳化硅MOSFET系列新品主要应用在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、光储一体机、充电桩以及UPS、PFC电源等领域。
碳化硅MOSFET选型
除此,基本半导体在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,能够更好的应用到多样化的行业场景中;国芯思辰有非常充足的碳化硅MOSFET库存,该产品价格也非常有优势,如需样品,可以在国芯思辰官网进行申请。
注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
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