KMT32B磁阻角度传感器

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旋钮方案越来越少用接触式的电位器，而采用磁传感器实现非接触式旋转检测。今天给大家带来TE的一颗基于磁阻威廉希尔官方网站 的芯片KMT32B在高档控制面板上的应用，无接触、高寿命，开发简单。

KMT32B采用磁阻原理检测平行于芯片的磁场大小，转换为电压输出。芯片包含两路磁场检测，两路感应到的磁场方向有45°的相位差，常用安装模型如图1所示，左边为为同轴方案，磁铁旋转角度和输出电压的曲线如图2所示，后端MCU检测到AD值做反正切运算即可得到角度值。

实际模型推荐及算法处理：由于产品ID决定了磁铁不能安装在芯片上方，必须采用图1右侧的离轴检测模型。芯片安装到侧面也可以采用磁性较弱的软磁铁，相比常用的钕铁硼N35硬磁铁便宜不少还更好加工。该项目采用了多对极的磁铁，磁铁一个对极的旋转对应了电信号的360度变化，采用N对极就有N个0到360度的变化，精度也得到了极大提高。

KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量 45 度。 平行于芯片（x-y 平面）的表面上的旋转磁场将因此提供两种独立的正弦曲线输出信号，一种按照 cos(2) 函数计算，另一种按照 sin(2) 函数计算，在传感器和磁场方向之间形成角度。KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下（例如，在室温下距离为 5.2 mm 时，来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度）高精确角度测量应用。如降低精度，KMT32B AMR 角度传感器可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的情况（室温下；了解地磁场产生的影响！）。大多数磁体的磁场强度随温度改变，但磁场方向不变。