一起来学5G终端射频标准（In-band emissions-1）

英利检测：发射机调制质量我们已经学习了EVM和载波泄漏，今天继续学习带内发射：In-band emissions，简称IBE。

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In-band emissions为什么又是调制性能

带有emission的测量项，有这样几种叫法：

Out of band emission，带外发射； unwanted emission，无用发射； Spurious emission，杂散发射。

与IBE不同，这些emission都是发生在带外的，被归类为输出频谱的性能，我们后面还会具体学习这些emission的区别。那么IBE也是一种emission，顾名思义它发生在带内。

首先，我们来搞清楚In-band emissions是如何发生的，如下图所示，在4G或5G的OFDM调制中，由于终端并不一定时时占满整个带宽的RB资源，事实上某个终端也总是不可能占满整个RB资源的，可能只占用整个带宽的极少一部分。所以被分配使用的RB（Active）一旦发出了功率，就会相应的在未分配RB上产生杂波干扰信号，同时也会产生在载波处的泄漏（Leakage）干扰信号，以及在镜像频率处的镜像干扰（Image）信号。

所以In-band emissions，带内发射，根据发射干扰信号产生的频率位置，总共分为三类：General ，IQ Image和Carrier Leakage，如下图所示：

IBE所包含的三个类型的测试项：

Carrier leakage：是在载波附近的IBE； IQ image：是在分配的RB的另一侧相对于载波对称的IBE； General：适用于所有未分配的RB。

那为什么要进行IBE的测试？如果这三种干扰信号泄漏出来，首先载波泄漏的影响，我们在上一篇中已经讨论过了，另外两种干扰，一定会造成其他终端用户（这里其他用户指刚好使用了这些被干扰的RB的UE）的底噪抬升或信噪比的下降，也就是EVM的恶化。

上一篇，我们分析了载波泄漏为什么是调制性能的测试项，而对于In-band emissions，当终端发射机在带内出现了上述一系列的杂波信号后，也同样导致了调制性能的恶化，所以需要进行测量。从范畴上来说，IBE的影响，比载波泄漏更加宽泛。

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IBE的测量要求

IBE的测量分为PUSCH和PUCCH。

PUSCH的测试配置如下：

频率：低中高； 带宽：低中高； SCS：最低； 上行调制：DFT-s-OFDM QPSK，CP-OFDM QPSK； 上行RB分配：Inner_1RB_Left，Inner_1RB_Right；

PUCCH的测试配置如下：

频率：低中高； 带宽：低中高； SCS：最低； 下行调制：CP-OFDM QPSK； 下行RB分配：Full RB； PUCCH配置：Format 3 and Format 1，Length in OFDM symbols = 14； 上行RB分配：0，NRB-1；

IBE的测量要求如下表6.4.2.3.5-1：

表格中出现了三种IBE的测量要求，其中General的IBE要求中出现了很多符号，我们来解释一下，有些是复习哈：

• NRB：是给定信道带宽和子载波间隔的最大RB数量（transmission bandwidth configuration）；
• LCRB：是分配的RB数量（transmission bandwidth）；

这两个参数的定义我们以前学习过，参考下图就知道为什么叫做transmission bandwidth configuration 和 transmission bandwidth了：

• EVM：这里出现的EVM是表6.4.2.1.3-1中规定的分配RB使用的调制格式的限值。例如QPSK的限值是17.5%，参考一起来学5G终端射频标准（EVM究竟如何算）。这里在General IBE的测试要求公式中取了对数单位，20Log（17.5%）=-15.14 dB；
• ：是分配的RB和测量的未分配RB之间的起始频率偏移（例如，=-1 或 1，表示被分配RB带宽外的第一个左右相邻RB）；
• ：是以分配的RB数量进行归一化的10个子帧的平均发射功率，单位为dBm；
• TT：Test Tolerance为0.8dB。

所以General的限值要求不是固定的，而是根据配置和功率等计算得出的。

上图是SP9500对IBE的实测结果举例，具体测试的结果是如何计算的，我们下次继续。

以上信息由英利检测（Teslab）整理发布，欢迎一起讨论，我们一直在关注这方面的发展，如有引用也请注明出处。

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